高通完成2nm芯片设计流片，德州仪器启用班加罗尔新研发中心，印度半导体生态加速成型

【科技纵览】高通技术公司于2026年2月7日正式宣布，其2纳米（2nm）半导体设计已在印度完成流片，标志着该国在先进芯片设计领域迈入新阶段。这一成果在印度电子与信息技术部部长阿什维尼·瓦伊什瑙访问高通位于班加罗尔的工厂期间对外展示，凸显了跨国企业对印度本土研发能力的认可。

据高通方面介绍，此次2nm设计的实现，依托其在班加罗尔、钦奈和海得拉巴三大工程研发中心的协同作业，体现了公司在全球范围内最先进且规模最大的海外工程团队实力。高通强调，此举不仅彰显其全球工程能力，也印证了印度作为尖端半导体开发关键枢纽的战略地位，并重申其对印度半导体产业长期投入的承诺。

瓦伊什瑙部长对此表示：“印度在先进半导体技术的未来设计中正日益占据中心地位。高通在印度的工作、其强大的工程实力、深厚的设计能力以及对印度的长期承诺，都令人印象深刻。像这样的里程碑事件表明，印度的设计生态系统已经取得了长足的进步，也与我们打造具有全球竞争力的半导体产业的愿景高度契合。”

印度电子信息技术部副部长兼印度半导体使命首席执行官阿米特什·库马尔·辛哈亦指出，在持续完善的设计生态与行业深度参与下，印度半导体使命正稳步推进。他强调，对先进工程和研发能力的投资是构建本土长期产能的关键，而高通的长期承诺正助力印度迈向全球半导体创新中心的目标。

高通印度有限公司工程高级副总裁Srini Maddali称：“这一成就充分证明了我们在印度的工程团队的实力和深度。”他补充道，开展先进半导体设计需与全球项目及架构团队紧密协作，而印度团队始终维持全球一流水准，并积极投身于数字化转型进程。

另一位高通工程高级副总裁Shashi Reddy进一步说明，印度研发中心在系统设计的多个维度均有贡献，涵盖从架构定义、物理实现到软件平台及用例优化等环节。高通在印度已深耕逾20年，建成美国以外规模最大的工程研发体系之一。

与此同时，另一家半导体巨头德州仪器（TI）也在班加罗尔启用了全新的55万平方英尺研发中心，以纪念其进入印度市场40周年。该中心配备综合可靠性实验室及多个集成电路设计实验室，旨在强化芯片设计协作能力，并支持本地客户群。

该中心由瓦伊什瑙部长与TI高层共同揭幕。他在致辞中肯定TI“一直是印度半导体发展历程中的真正先驱”，并赞扬其在培育本土设计人才生态方面的持续贡献。自1985年设立首个研发中心以来，TI已在印度建立数千人团队，并不断扩展销售与技术支持网络。

新研发中心的落成，是TI应对全球半导体需求增长战略的重要一环，亦体现其深耕印度、开发尖端模拟与嵌入式处理技术的决心。此举不仅强化了TI在区域的创新能力，也与印度建设创新驱动型经济体的国家愿景高度协同。

当前，全球半导体产业正经历地缘格局重构，印度凭借政策激励、人才储备与市场潜力，正吸引高通、TI等巨头加大布局。然而，从设计突破到制造自主仍有巨大鸿沟——印度本土晶圆制造能力仍不足全球1%，进口依赖度高达800亿美元。因此，设计端的繁荣虽具象征意义，但要真正跻身全球半导体核心圈，仍需跨越制造与供应链整合的深水区。