JEDEC 固态技术协会发布 JESD209-6，即最新的低功耗双倍数据速率 6（LPDDR6）标准。JESD209-6 旨在显著提升多种应用场景（包括移动设备和人工智能）的内存速度与效率。JEDEC 称，新版 JESD209-6 LPDDR6 标准是内存技术的重大进步，在性能、能效和安全性方面均有提升。
高性能
为支持人工智能应用及其他高性能工作负载，LPDDR6 采用双子通道架构，在保持 32 字节小访问粒度的同时实现灵活操作。此外，LPDDR6 的主要特性还包括：
每颗芯片含2 个子通道，每个子通道有 12 条数据信号线（DQs），以优化通道性能。
每个子通道包含4 条命令 / 地址（CA）信号，经优化减少焊球数量并提高数据访问速度。
静态效率模式，旨在支持大容量内存配置并最大化存储体资源利用率。
灵活的数据访问，支持实时突发长度控制，可实现32B 和 64B 访问。
动态写入NT-ODT（非目标片上终端），使内存能根据工作负载需求调整 ODT，提升信号完整性。
能效
为满足不断增长的能效需求，与LPDDR5 相比，LPDDR6 采用更低电压和低功耗的 VDD2 供电，并强制要求 VDD2 采用双电源设计。其他节能特性包括：
采用交替时钟命令输入，提升性能与效率。
低功耗动态电压频率调节（DVFSL），在低频运行时降低 VDD2 电压，减少功耗。
动态效率模式，在低功耗、低带宽场景下采用单子通道接口。
支持部分自刷新和主动刷新，降低刷新功耗。
安全性与可靠性
相较于上一版本标准，安全性和可靠性方面的改进包括：
每行激活计数（PRAC），支持 DRAM 数据完整性。
定义隔离元模式，通过为关键任务分配特定内存区域，提升整体系统可靠性。
支持可编程链路保护方案和片上纠错码（ECC）。
能够支持命令/ 地址（CA）奇偶校验、错误清理以及内存内置自测试（MBIST），增强错误检测能力和系统可靠性。
日前，三星电子设备解决方案（DS）部门副董事长全永铉宣布，三星将于今年下半年通过第六代“1c DRAM”工艺量产下一代LPDDR6内存，并计划向高通等科技巨头供货。
据悉，1c DRAM是DRAM制造的第六代工艺节点，相比前代技术，其晶体管密度更高、能效比更优。三星通过“设计变更”战略，将1c DRAM的冷态良率提升至50%，热态良率达60%-70%，并计划在韩国华城工厂建设新生产线，扩大产能。LPDDR6内存基于1c工艺开发，带宽和功耗表现显著提升，可满足AI模型训练、移动终端算力升级等场景对内存性能的严苛需求。
据行业消息，高通下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存，并计划于今年9月23日的骁龙峰会上亮相。
随着AI应用向终端设备下沉，LPDDR6内存的带宽与能效成为关键竞争力。三星计划通过向高通等厂商供货，进一步渗透智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场，强化其技术壁垒。此外，三星还在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术，构建覆盖AI全场景的内存解决方案。
目前，三星已制定1c DRAM扩产计划，预计最早于今年年底完成韩国华城工厂生产线建设。此外，该公司正同步开发DDR与LPDDR用1c DRAM，打破传统开发顺序，加速商业化进程。
LPDDR6 将取代现有的 LPDDR5 内存及其衍生版本，而 LPDDR5 标准早在 2019 年就已经发布。距离 LPDDR5 标准问世已有将近五年时间，在这段时间里，三星和美光推出了 LPDDR5x，SK 海力士也推出了 LPDDR5T，其传输速率高达 9.6 Gbps。这些低功耗的 DRAM 内存非常适合智能手机、轻薄型设备甚至笔记本电脑 / 迷你台式机等强调低功耗的设备。
采用LPDDR5 (X / T) 规格的内存模组正越来越多地出现在各种产品中。例如，LPCAMM2 模组凭借其小巧的模块化外形尺寸、更大的容量和更高的可升级性，将彻底改变 PC 内存市场。
此外，最近上市的LPCAMM2 模组采用了 LPDDR5 (X / T) 的变种，由于其小巧的模块化外形尺寸，能够提供更大的容量和可升级性，将改变 PC 市场格局。
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