三星电子和SK海力士正在对其中国工厂进行大规模设施投资，以同时提升工艺技术和产能。随着全球人工智能（AI）投资热潮加剧存储半导体短缺，两家公司正全力调动包括中国工厂在内的所有产能来增加供应。通过这些大规模投资，三星和SK希望通过升级其NAND闪存和DRAM生产工艺来扩大芯片供应并提高盈利能力。
据韩国金融监督院3月24日发布的数据显示，三星电子去年在其位于中国西安的工厂投资4654亿韩元（约合3.44亿美元），较上年的2778亿韩元增长67.5%。西安工厂是三星电子唯一的海外NAND闪存生产基地，产量约占其总产量的40%。
三星电子在 2019 年向西安工厂投资约 6984 亿韩元后，从 2020 年到 2023 年没有进行任何重大投资。
不过，据了解，该公司已恢复 2024 年的投资，注资 2778 亿韩元，去年又将投资额增加到 4654 亿韩元，用于升级当地的生产线。
SK海力士去年在其位于无锡的DRAM生产工厂和位于大连的NAND闪存制造子公司均进行了超过1万亿韩元的投资。其中，无锡DRAM工厂投资5810亿韩元，较2024年的2873亿韩元增长102%；大连NAND工厂投资4406亿韩元，增长52%。这是SK海力士自2022年收购英特尔大连NAND工厂以来，首次在中国工厂进行万亿韩元规模的投资。
尽管美国对中国实施出口管制，但三星电子和SK海力士这两家全球存储器“两大巨头”仍然积极投资中国生产设施，其背景是源源不断的存储器半导体订单。
目前内存市场供应短缺，DRAM 和 NAND 闪存今年的全部产能已售罄。随着人工智能服务从简单的搜索发展到需要更多推理和学习的“智能体”形式，对高性能 DRAM 的需求不断增长，人工智能数据中心处理信息所需的超高性能内存订单也在激增。
事实上，瑞银证券预测，全球半导体市场规模将较去年增长超过40%，达到1万亿美元（约合1496万亿韩元）。此外，由于人工智能基础设施投资，中国国内需求强劲。去年，中国存储器半导体市场规模约为4580亿元人民币（约合99万亿韩元），预计今年将进一步扩大。
由于仅靠国内产能无法满足全球需求，三星电子和SK海力士正通过升级其位于中国的工厂（其关键生产基地之一）来扩大供应。三星电子计划通过大量追加投资，将其西安NAND工厂的主要生产工艺从128层（第六代）升级到236层（第八代）。
一位业内人士解释说：“为了防止国家核心技术外泄，海外工厂和国内工厂之间通常保持着大约两代的工艺差距。” 他补充道：“由于三星计划今年在韩国生产400层（第十代）NAND产品，中国工厂向第八代NAND的过渡可能会加快。”
据了解，SK海力士近期投资升级了其无锡工厂的DRAM生产工艺，从10纳米（纳米，十亿分之一米）级的第三代（1z）工艺升级到第四代（1a）工艺。此次升级后，无锡工厂将能够量产高附加值产品，例如第五代双倍数据速率（DDR5）内存，预计这将显著提升其业务绩效。
另一位业内人士评论道：“无锡工厂占SK海力士DRAM总产量的30%以上，已经转型为高附加值产品生产基地。”他还预测：“大连工厂也将通过加大投资，改善财务结构，提高生产效率。”
（来源：编译自businesskorea）
