【区角快讯】作为第三代半导体关键基础材料，碳化硅（SiC）单晶长期由海外企业主导，其中美国Wolfspeed曾占据全球超40%的供应份额。近日，国内企业天成半导体宣布成功研制出14英寸（350mm）碳化硅单晶材料，标志着我国在该领域实现重大技术跃升。
该公司依托完全自主研发的设备完成此次突破，所制备晶体有效厚度达30毫米。这一指标对大尺寸碳化硅晶圆而言极具挑战性——既要实现直径扩展，又要保证足够厚度以支撑后续加工，技术难度显著提升。
天成半导体成立于2021年，总部位于太原，主营业务涵盖半导体器件专用设备制造、电子专用材料研发及新兴能源技术开发。其技术演进路径清晰：2022年实现6英寸碳化硅衬底投产，完成从4英寸到6英寸的升级；2025年11月，据《西山日报》报道，公司攻克12英寸“双路线”难题，同步推出导电型与高纯半绝缘型12英寸碳化硅单晶材料。
此次14英寸产品的问世，使单片晶圆面积较主流6英寸产品扩大逾5倍，在相同生产周期内可大幅提升芯片产出量，理论单颗芯片成本有望降低60%以上。值得注意的是，全球行业龙头Wolfspeed直至2026年1月才宣布制成14英寸单晶碳化硅晶圆，而天成半导体已实现同等规格并具备30毫米有效厚度。
碳化硅作为宽禁带半导体代表，具备耐高压、高功率、高导热、低损耗等特性，是新能源汽车、光伏储能、智能电网及5G射频等战略产业的核心材料。过去欧美企业主导市场，美国整体份额一度超60%。如今，伴随国内企业在技术与产能上的快速突破，中国正从追赶者向引领者转变。
业内观察指出，大尺寸碳化硅单晶的持续突破，不仅将加速国产替代进程，更可能重塑全球第三代半导体供应链格局。
