【区角快讯】长期以来，高带宽内存（HBM）与图形双倍数据速率内存（GDDR）在应用场景上界限分明：HBM采用多层堆叠结构，具备高带宽与大容量优势，但成本高昂，主要服务于AI加速卡；而GDDR则广泛用于游戏显卡。此前AMD曾尝试将HBM引入消费级显卡，但未能成功。
当前AI需求激增导致HBM产能持续紧张，美光正探索新路径——将垂直堆叠技术引入GDDR架构。尽管公司尚未正式公布该计划，但据可靠消息透露，美光已着手部署相关生产设备，并拟于2026年下半年启动工艺测试，目标在2027年推出工程样品。
目前尚不清楚该堆叠方案基于GDDR6还是GDDR7标准，唯一确认的是初期设计将采用四层堆叠结构。至于是否最终实现量产，仍取决于实际产品的性能表现与成本控制效果。
若此类堆叠式GDDR未来应用于游戏显卡，理论上可显著提升带宽与容量，同时缩小PCB占用面积。然而业内普遍认为，其首要目标并非消费市场，短期内难见于游戏硬件。
此举反映出内存厂商正积极拓展技术边界，以应对AI推理等新兴负载对多样化内存解决方案的迫切需求。
