高带宽闪存（HBFD）是一种比 HBM 容量更大的内存，但英伟达不会使用它；相反，谷歌将成为其主要客户。
随着人工智能的蓬勃发展， NAND DRAM 的应用范围也日益广泛。虽然它主要用于固态硬盘 (SSD) 等存储设备，但即将问世的闪存技术 HBF（高带宽闪存）有望在其中发挥重要作用。HBF 是下一代 NAND DRAM 技术，它弥合了 HBM 和 NAND 闪存之间的差距。
HBF 由 SanDisk 和 SK 海力士联合开发，其架构与 HBM 类似，都是将多层 NAND 闪存堆叠在一起。每一层都通过多个 TSV（硅通孔）连接，将所有 NAND 封装熔合到一个单一的堆叠结构中。目前 HBM 的单堆叠容量为 32-64 GB，而HBF 的容量最高可达 4 TB。
就速度而言，HBM 更快，但通过架构优化，HBF 也能够为关键的 AI 任务提供足够的吞吐量。HBF 标准非常适合推理工作负载，而随着智能体 AI 的激增，推理工作负载如今显得尤为重要。更高的容量也弥补了主计算芯片键值缓存的一些限制。
虽然HBF听起来很棒，但业内人士表示，NVIDIA近期并没有采用这项新型DRAM技术的计划，因为他们认为eSSD可以解决容量和速度方面的限制。据报道，NVIDIA正在与铠侠（Kioxia）合作，生产速度比标准设计快100倍的PCIe Gen7 SSD 。
目前，SK海力士在HBF开发领域处于领先地位，计划于今年下半年推出首批样品。
据报道，谷歌将成为HBF的主要客户，因为它计划收购这项技术以支持其快速发展的AI项目。谷歌的TPU生态系统正在加速增长，并且正在通过多个正在研发中的下一代TPU解决方案来扩展其计算能力。HBF能否成为一个重要的应用案例还有待观察，但它除了取代HBM之外，还有一个巨大的应用前景，那就是取代标准的DDR内存。
随着CPU成为人工智能领域的新瓶颈，服务器对LPDDR内存的需求也随之增长。这导致对LPDDR5和LPDDR5X内存（尤其是SOCAMM2 ）的需求激增。借助HBF的多层堆叠技术，芯片制造商和人工智能生态系统提供商不仅可以缩小PCB空间，还能在保持低功耗和高带宽吞吐量的同时，增加内存容量。
