2 纳米良率大战

根据KeyBanc Capital Markets 的报告，台积电的N2 制程目前表现出卓越的领先优势。截至2025 年中期，台积电的N2 制程良率大约达到65%，这项数据显著的超越了其主要竞争对手，这使得台积电在全球晶圆代工领域持续保持领导地位。

报告指出，为了巩固并扩大这一领先优势，台积电正持续投入于N2 制程的良率提升工作，公司目标是在2026 年前将N2 制程良率进一步提升至接近75% 的水平。为达成此一目标，台积电的制程工程师们正积极解决多项技术挑战，包括多重图案极紫外光（EUV）曝光中的拼接（stitching）问题与叠对（overlay）控制。这些技术改进对于确保晶圆上的电路图案精确对准至关重要，直接影响最终产品的良率与性能。

此外，台积电还在进行工具与制程层面的全面优化，例如部署先进的薄膜（pellicle）以减轻光罩颗粒污染的影响。这些细致入微的优化措施，共同推动N2 制程的良率向更高点迈进，确保台积电在未来的晶片制造市场中保持强劲的竞争力。

相较于台积电，英特尔的Intel 18A 制程良率目前位居第二，进步幅度也令人瞩目。截至报告发布之际，Intel 18A 制程的良率为55%。值得注意的是，这一数字反映了其在前一季50% 的良率基础上达成了显著改善的目标，这代表英特尔在制程优化和缺陷减少方面取得了积极成效。

英特尔的未来发展路线，包含了一系列雄心勃勃的计划。其中，预计Panther Lake 处理器将在2025 年底前开始使用Intel 18A 制程进行大规模生产。报告预期，透过持续的制程优化和缺陷减少措施，英特尔有潜力将Intel 18A 制程的良率推升至65% 至75% 的范围内。如果这一改进能实现，将使英特尔的良率超越三星。

展望更远的未来，英特尔已规划在2026 年下半年推出Intel 18A-P 的改良版，此版本将专为大量晶圆代工客户量身订制。 Intel 18A-P 的技术增强将牵涉修改光罩，以及进一步的鳍片边缘平滑处理，这些措施目的减少图案错误和缺陷。如果Intel 18A-P 制程能够维持与原本Intel 18A 制程相当的良率，市场对英特尔晶圆代工业务的预期将显著提升。

报告强调，尽管业界有传闻表示，英特尔可能加速其发展路线，跳过Intel 18A-P 直接进入Intel 14A 制程，但报告认为，这种情况发生的可能性不大。报告指出，Intel 18A-P 相对于台积电N2 制程的竞争力，以及Intel 14A 制程预计在2027 年底，或2028 年初才能开始生产的时间点，都使得跳过节点的策略既充满风险，又具操作复杂性。这代表英特尔更倾向于稳健的推进其既定路线，逐步提升技术成熟度与良率。

最后，与台积电和英特尔形成鲜明对比的是，三星的2 纳米制程。其代号为SF2 的制程技术尚未展现出有意义的良率提升。目前，SF2 的产量大约保持在40% 的水平，这远低于台积电和英特尔的水准。报告将三星SF2 良率表现不佳归因于多重因素，包括晶圆级缺陷问题，以及EUV 图案化能力的缓慢提升。

三星的下一代2 纳米节点制程目前预计在2027 年初推出，然而，为了保持在先进制程领域的竞争力，三星将需要在此之前达到实质性的良率提升，这对于三星而言是一项艰巨的任务。因为其不仅需要解决当前的技术瓶颈，还需加速EUV 相关的产能建设与良率优化，才有机会能迎头赶上台积电和英特尔的脚步。

总而言之，截至2025 年中期，台积电的N2 制程以65% 的良率遥遥领先，并设定了更高的良率目标。英特尔的Intel 18A 制程正迅速追赶，良率达到55%，并透过其路线展现出在未来达到与台积电相近水平的潜力。至于，三星的SF2 制程则面临严峻的良率挑战，仅为40%，其未来竞争力将取决于能否在短期内实现显著的技术突破和良率提升。这场先进制程良率的竞赛仍在持续进行，其结果将深刻影响全球科技产业的格局和未来发展。

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