香港一家证券公司预测，三星电子将投入巨额资金用于量产用于第六代高带宽存储器（HBM4）的1c DRAM。
这是因为1c DRAM工艺的良率（成品率）已大幅提升，该证券公司分析称，这是为了在今年年底前实现量产而进行的投资。
香港一家证券公司：“三星电子HBM4良率提升至50%，计划大规模投资用于量产”。
香港里昂证券7月16日在一份报告中表示：“预计三星电子将很快为1c DRAM的量产进行大规模资本支出”，并且“尽管尚未解决1c DRAM的所有技术问题，但已将良率提升到足以获得内部生产准备批准的水平。”
三星电子正在利用领先于竞争对手的1c DRAM工艺来生产HBM4。该公司正试图通过应用这一先进工艺来克服第五代HBM3E在实际应用中遇到的缺陷。
先进DRAM工艺的开发顺序为1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代）和1c（第六代）。随着代数的提升，线宽变得更细，从而提高了性能和功耗效率。SK海力士和美光公司正在使用1b工艺生产HBM4。
据里昂证券（CLSA）称，三星电子1c工艺的良率已超过50%。而直到今年年初，三星电子1c工艺的良率才被确认为10%左右。
里昂证券分析称，良率的提升主要归功于三星电子对1c工艺核心电路的重新设计。此外，半导体芯片尺寸的增大也起到了一定作用。
预计三星电子的大规模投资将集中在P4平泽园区。里昂证券称，P4生产线预计将在今年下半年达到月产5万片1c DRAM的产能。
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