【区角快讯】当人工智能浪潮将存储芯片推至“新石油”的战略高地，全球供应链的紧绷神经并未因时间推移而松弛。据快科技5月26日援引消息，美光科技官方发出严峻预警，受AI领域对高带宽内存（HBM）、动态随机存取存储器（DRAM）及闪存（NAND）需求激增的驱动，全球内存市场的供应短缺局面恐将持续至2026年之后。
摩根大通近期发布的投资报告进一步佐证了这一判断。在美光管理层出席的第54届全球科技、媒体与通信年度大会上，公司明确指出，当前三大核心存储产品的产能受限，已难以匹配人工智能模型性能迭代的速度。这种供需失衡并非偶然，其背后有着深刻的技术成因：代际更迭带来的性能提升边际效应递减，新型HBM芯片裸片尺寸的物理增大，以及DRAM制造中引入极紫外（EUV）光刻技术所伴随的工艺复杂性飙升，共同构成了产能瓶颈。
值得注意的是，美光正试图通过技术突破来缓解压力。被规划为公司历史上晶圆产量最高的1γ工艺节点，目前正加速整合EUV光刻流程。在HBM赛道上，美光HBM4的产能爬坡速度已达到前代HBM3的两倍。更具前瞻性的是，下一代HBM4E内存计划于2027年启动量产，其首批样品将搭载基于1γ工艺的DRAM模块，这标志着制程技术的重大跨越。
除了高端内存，美光在固态硬盘市场也采取了差异化策略。通过与客户深度绑定，针对AI上下文窗口扩容及推理负载增长进行定制化优化，美光正以专用方案替代通用型存储产品，从而在激烈的市场竞争中稳固并提升份额。从某种角度看，这场由AI引发的存储超级周期，正在重塑整个半导体行业的竞争格局与技术路线。
