海世高半导体电镀层均匀性突破瓶颈

近日，海世高半导体针对客户定制化玻璃基板完成双面电镀全点位均匀性检测，实测数据交出亮眼答卷：F 面均匀性 3.17%、B 面均匀性 4.21%，整体工艺水准远超行业通用标准 10%，达成业界第一梯队超高平整度指标，再次夯实国产 TGV 电镀技术硬核实力。

实测数据说话：双面全点位严控，均匀性实力具象化

本次测试对玻璃基板F（正面）、B（背面）7×7 全域 49 个点位逐一取样测厚，完整覆盖基板边缘、中心、边角等电镀最难控区域， F 面（正面）：镀层均值 7.283，最大值 7.530、最小值 7.069，均匀系数仅3.17%，全板面厚度波动被精准锁死在极小区间；B 面（背面）：镀层均值 7.316，最大值 7.671、最小值 7.055，均匀系数4.21%，即便是电镀难点背面区域，厚度离散度依旧远优于市面常规方案。摆脱传统电镀 “边缘偏厚、中心偏薄、四角失控” 的通病，从源头规避因镀层偏差带来的封装报废隐患。

海世高始终锚定TGV 玻璃通孔电镀国产化赛道，以工艺迭代打破海外设备垄断。据了解，海世高半导体自成立以来，以“TGV电镀技术国产化”为使命，历经多年技术攻关，成功建成国内首条对外开放服务的全尺寸玻璃基板金属化测试产线。该产线采用“干进干出”工艺，实现了效率透明化与制备国产化的双重突破，标志着我国在半导体显示核心装备领域迈入自主可控新阶段。

在关键性能指标上，海世高的TGV板级电镀设备集成高速挡板、超近距离电场屏蔽、不溶性阳极分级调节等创新技术，实现2/2μm线宽线距、200-2000μm玻璃厚度处理能力，支持全自动生产与半导体级IoT监控。公司已成功在510×515mm玻璃基板上实现RDL电镀、玻璃中阶层电镀及通孔填充工艺，并完成客户端板级自动化中试线设备的交付。

海世高半导体电镀层均匀性突破瓶颈图3

8寸/200*200mm及以下玻璃基板电镀中试标准机

在2025年12月，海世高韩国完成天使轮战略融资，首批投资规模约为100亿韩元（约合5000万人民币），此次融资将主要用于其TGV电镀产线的全链条验证设备铺设与全球研发投入的进一步强化。

来源：海世高官微，侵删

艾邦建有玻璃基板与TGV技术交流群，可以加强产业链的合作，促成各企业的需求对接，同时您也可以与行业精英共同探讨玻璃基板及TGV技术的前沿动态，共享资源，交流经验，欢迎您的加入。

活动推荐：

序号	初拟议题
1	玻璃通孔（TGV）技术发展现状与产业化进程回顾
2	激光诱导刻蚀（LIDE）在TGV通孔加工中的最新突破
3	高深宽比TGV通孔金属化填充工艺挑战与解决方案
4	先进PVD（HIPIMS/FCVA）在TGV种子层沉积中的应用进展
5	面板级封装（PLP）与玻璃基板的协同发展路径
6	TGV玻璃基板翘曲控制与大尺寸封装可靠性研究
7	铜浆料直填技术：TGV金属化的新路线与产业化前景
8	TGV制程中的检测挑战与在线全检技术方案
9	临时键合与解键合技术在超薄玻璃基板加工中的应用
10	玻璃材料创新：低CTE匹配、激光改性响应优化及大尺寸面板开发
11	全球TGV设备（激光钻孔、镀膜、电镀、检测设备）国产化进展
12	半导体玻璃基板材料与化学品的国产替代进程
13	AI算力芯片对玻璃基板封装的需求与技术匹配分析
14	共封装光学（CPO）技术趋势与TGV玻璃基板的关键作用
15	射频前端模组中的TGV集成无源器件（IPD）应用案例
16	Mini/Micro LED显示玻璃基板的量产实践与市场前景
17	玻璃基板在汽车电子（激光雷达、MEMS）中的应用探索
18	晶圆厂、封测厂与TGV制造企业的协同创新模式
19	从技术验证到规模量产：TGV玻璃基板良率提升与成本控制策略
20	玻璃基板时代：全球竞争格局与中国产业链机遇