【报告】半导体专题二:2025第三代半导体产业链研究报告(附PDF下载)

人工智能产业链union 2025-07-18 20:20
深企投产业研究院
《2025第三代半导体产业链研究报告
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第一部分:半导体发展历程

  • 分类:报告介绍了第一代(硅和锗)、第二代(砷化镓和磷化铟)和第三代(碳化硅和氮化镓)半导体材料的特点和发展历程。

  • 第三代优势:第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

第二部分:第三代半导体优点

  • 能量转换效率:第三代半导体元件可以降低导通时的损耗,提高能量转换效率。

  • 芯片性能:具备更小的漏电流和导通阻抗,芯片运行速度更快,功耗更低。

  • 耐高温高压:可承受更高的电压和温度,适用于电动汽车、高压电网和5G基站等领域。

  • 产品小型化:使用第三代半导体材料的器件可以实现小型化,减少体积和重量。

第三部分:碳化硅(SiC)产业链

  • 产业链结构:碳化硅产业链包括衬底、外延、器件制造和终端应用等环节。

  • 衬底和外延:衬底和外延片的成本占比较高,尤其是衬底,是技术门槛和价值量最高的环节。

  • 应用领域:碳化硅在新能源汽车、光伏、工控等领域有广泛应用,特别是在新能源汽车中,碳化硅器件能显著提升能量转换效率和续航里程。

第四部分:碳化硅器件市场格局

  • 市场规模:全球碳化硅功率器件市场规模快速增长,预计到2029年将达到98.73亿美元,年复合增长率为24%。

  • 竞争格局:全球市场由外资巨头主导,但国产厂商在车规级市场的份额正在迅速提升。

第五部分:碳化硅衬底市场格局

  • 产品概况:碳化硅衬底分为半绝缘型和导电型,主要用于射频器件和功率器件。

  • 市场规模及趋势:预计到2030年,全球碳化硅衬底市场规模将达到664亿元,年复合增长率为39%。

  • 竞争格局:中国企业在全球市场中占据重要地位,天岳先进和天科合达是主要供应商。

第六部分:碳化硅外延片市场格局

  • 产品概况:外延片是在衬底上生长的一层高质量单晶薄膜,是制作器件的基础。

  • 市场规模及趋势:预计到2029年,全球碳化硅外延片市场规模将达到58亿美元,年复合增长率为38.2%。

第七部分:氮化镓(GaN)产业链

  • 产品概况:氮化镓适用于高频、高温、高功率应用,主要分为增强型和耗尽型两种类型。

  • 应用领域:氮化镓在5G通信、消费电子、电动汽车、数据中心等领域有广泛应用。

  • 市场规模:预计到2029年,全球氮化镓功率器件市场规模将达到20.1亿美元,年复合增长率为41%。

第八部分:设备篇

  • 碳化硅设备:包括衬底制备设备、外延设备、热处理设备、刻蚀设备、离子注入设备等,国产化率逐步提升。

  • 氮化镓设备:包括外延设备、刻蚀设备、离子注入设备等,国产设备在逐步打破技术壁垒。

结论与展望

  • 市场增长:第三代半导体市场预计将继续保持高速增长,特别是在新能源汽车、光伏、数据中心等领域。

  • 国产替代:国产第三代半导体材料和器件在技术和市场份额上都有显著提升,国产替代进程加速。

  • 技术创新:随着技术的不断进步,第三代半导体的成本将进一步下降,性能将进一步提升,推动更广泛的应用。

以上内容涵盖了报告中的关键信息和核心观点,为企业和投资者提供了对第三代半导体产业的深入理解和市场洞察。


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