
深企投产业研究院: 《2025第三代半导体产业链研究报告》
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第一部分:半导体发展历程
分类:报告介绍了第一代(硅和锗)、第二代(砷化镓和磷化铟)和第三代(碳化硅和氮化镓)半导体材料的特点和发展历程。
第三代优势:第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
第二部分:第三代半导体优点
能量转换效率:第三代半导体元件可以降低导通时的损耗,提高能量转换效率。
芯片性能:具备更小的漏电流和导通阻抗,芯片运行速度更快,功耗更低。
耐高温高压:可承受更高的电压和温度,适用于电动汽车、高压电网和5G基站等领域。
产品小型化:使用第三代半导体材料的器件可以实现小型化,减少体积和重量。
第三部分:碳化硅(SiC)产业链
产业链结构:碳化硅产业链包括衬底、外延、器件制造和终端应用等环节。
衬底和外延:衬底和外延片的成本占比较高,尤其是衬底,是技术门槛和价值量最高的环节。
应用领域:碳化硅在新能源汽车、光伏、工控等领域有广泛应用,特别是在新能源汽车中,碳化硅器件能显著提升能量转换效率和续航里程。
第四部分:碳化硅器件市场格局
市场规模:全球碳化硅功率器件市场规模快速增长,预计到2029年将达到98.73亿美元,年复合增长率为24%。
竞争格局:全球市场由外资巨头主导,但国产厂商在车规级市场的份额正在迅速提升。
第五部分:碳化硅衬底市场格局
产品概况:碳化硅衬底分为半绝缘型和导电型,主要用于射频器件和功率器件。
市场规模及趋势:预计到2030年,全球碳化硅衬底市场规模将达到664亿元,年复合增长率为39%。
竞争格局:中国企业在全球市场中占据重要地位,天岳先进和天科合达是主要供应商。
第六部分:碳化硅外延片市场格局
产品概况:外延片是在衬底上生长的一层高质量单晶薄膜,是制作器件的基础。
市场规模及趋势:预计到2029年,全球碳化硅外延片市场规模将达到58亿美元,年复合增长率为38.2%。
第七部分:氮化镓(GaN)产业链
产品概况:氮化镓适用于高频、高温、高功率应用,主要分为增强型和耗尽型两种类型。
应用领域:氮化镓在5G通信、消费电子、电动汽车、数据中心等领域有广泛应用。
市场规模:预计到2029年,全球氮化镓功率器件市场规模将达到20.1亿美元,年复合增长率为41%。
第八部分:设备篇
碳化硅设备:包括衬底制备设备、外延设备、热处理设备、刻蚀设备、离子注入设备等,国产化率逐步提升。
氮化镓设备:包括外延设备、刻蚀设备、离子注入设备等,国产设备在逐步打破技术壁垒。
结论与展望
市场增长:第三代半导体市场预计将继续保持高速增长,特别是在新能源汽车、光伏、数据中心等领域。
国产替代:国产第三代半导体材料和器件在技术和市场份额上都有显著提升,国产替代进程加速。
技术创新:随着技术的不断进步,第三代半导体的成本将进一步下降,性能将进一步提升,推动更广泛的应用。
以上内容涵盖了报告中的关键信息和核心观点,为企业和投资者提供了对第三代半导体产业的深入理解和市场洞察。





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