从Sidecar到Power Shelf再到IBC，慕展AIDC电源方案亮点

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）或许是由于AIDC上游硬件市场的火爆，今年慕尼黑上海电子展可以说是有史以来最火爆的一届，展台挤满了观众，厂商FAE全程在岗，一刻不停地接待观众，现场答疑、演示讲解连轴转。

数据中心供电方案展区热度居高不下，产业投资人重点关心这些方案的实际落地场景、市场需求量、核心元器件构成，评估商业化空间；行业研发、工程从业者则侧重技术维度，针对方案转换效率、输出规格、动态负载、散热设计等核心参数展开深度交流。在逛展期间的这种氛围，也充分体现当下算力基础设施供电赛道的行业关注度。

安森美也在展会期间特别针对AIDC专题组织了一场媒体沟通会，其电源方案事业部副总裁兼总经理Sravan Vanaparthy表示，到2030年全球AI数据中心用电需求将达到每年745太瓦时至1000太瓦时；在接下来的三年当中，安森美在智能电源利用领域的收入机会，有望从原有的30亿美元增长到百亿美元规模。

接下来我们来看一下这次展会上，从Sidecar到Power Shelf再到IBC，大厂们都推出了哪些值得关注的方案和产品。

德州仪器

TI在这次展会上展出了800V转6V DC/DC计算托盘配电板，设计先进且极具挑战性。方案采用三电平PFC拓扑，拓展TI 650V氮化镓GaN功率器件的高压应用边界；低压侧据称用到了20V的硅MOS；硬件采用模块化功率级架构，搭配顶部冷板液冷散热设计，在紧凑设备体积内支持功率灵活扩容，兼顾高功率密度与散热性能，解决AI服务器大算力负载下的高压高效供电难题。

另外也有相对成熟的800V转12V的方案，高压侧采用TI 650V GaN，低压侧采用了40V GaN；以及展出了带热插拔解决方案的配电板。

从Sidecar到Power Shelf再到IBC，慕展AIDC电源方案亮点图1

TI还展出了一款50kVA固态变压器（SST）模块，可用于从中压到低压系统构建高性价比的SST应用，覆盖数据中心、兆瓦级充电站、中央光伏逆变器和并网储能系统等场景。该模块搭载以太网 EtherCAT 与 FSI 双通信功能，依托 3.3kV SiC FET 器件精简每相模组数量，搭配 TMS320F28P650 MCU 实现模块间高速同步；中压、低压侧通过塑料光纤 POF 隔离传输控制信号，在控制隔离的同时压缩整机成本。电路架构采用 H 桥 PFC 加移相 DAB 拓扑，额定工况下整机效率突破 97%，适配多类中压转低压场景，可落地数据中心高压配电、兆瓦级快充站、集中式光伏逆变器与并网储能系统，为大容量能源变换提供高性价比固态变压器替代方案。

两套方案分别覆盖数据中心前端中压变换与后端服务器终端供电，串联起算力机房完整供电链路，充分展现TI在SiC、GaN宽禁带器件、数字控制、隔离通信、高密度电源拓扑上的一体化技术优势，也精准匹配当下数据中心高压化、高效化、模块化的行业发展需求。

英飞凌

英飞凌展出多款面向新一代 AI 服务器的标准化电源方案，打通机柜输入至板级转换环节：

12kW/50V 单相输入 AI 服务器 PSU：融合硅、CoolSiC™碳化硅、CoolGaN™氮化镓三类功率器件，整机峰值效率可达 97.5%；内置专用能量缓冲单元，可实现 20 毫秒掉电保持，满足 AI 服务器瞬时断电稳定运行需求，适配高功率 50V 机架架构。

从Sidecar到Power Shelf再到IBC，慕展AIDC电源方案亮点图2

±400V 转 50V 6kW 半砖高压中间总线转换器（HV IBC）：方案全链路采用 CoolGaN™氮化镓器件搭配专属数字控制器，高频转换优势显著，峰值效率高达 98.5%，适配 800V 高压直流数据中心架构，大幅提升机柜功率密度。

12kW 48V BBU 电池备份单元展示板：搭载 OptiMOS™硅 MOSFET 与 PSOC™ Control C3 系列 MCU，依托分段功率变换架构，在大功率备电场景下兼顾更高转换效率与设备体积压缩，保障算力负载突发断电时持续供电。

同时面向数据中心前端配电安全防护，英飞凌还推出全新 CoolSiC™ JFET 器件，采用 Q-DPAK 顶部散热封装，兼具行业领先超低导通损耗、优秀散热性能与高可靠性，适配高功率密度固态断路器开发。配套常通型、常断型两款器件评估板，支持 800V 直流、400V 交流及以下系统验证，最高可实现 2000A 脉冲关断能力，方便客户快速完成极端工况可靠性测试，完善数据中心前端配电保护链路。

安森美

安森美在本次展会上展出了基于 1.2kV SiC Cascode JFET 的 800V 高压 IBC 量产级解决方案，也是业内首款将 SiC 级联 JFET 应用于 800V 高频 IBC 的产品，跳出单一依赖 GaN 的传统技术路线，为高压数据中心电源提供全新优化路径。

整套方案搭载 1.2kV SiC Cascode JFET，专为 AI 数据中心 800V 高压母线场景开发。支持 700kHz 以上开关频率，依靠器件极低的输出电容 Coss (tr)，优化软开关 FOM 值（Rdson × Coss (tr)），高频工况下导通、关断损耗显著降低，同步提升功率密度与转换效率：兼容通用低成本驱动器，省去复杂辅助电路，降低开发门槛，提升系统设计灵活度；采用顶部散热封装，优化热传导路径，适配超高功率密度机柜紧凑安装需求；无栅氧化层结构规避栅极失效风险，对比 GaN 器件拥有更稳定的长期运行特性。

安森美依托 12kW、750kHz 高压 IBC 仿真平台完成系统对比验证：在 LLC 谐振拓扑下，SiC Cascode JFET、GaN HEMT、SiC MOSFET 三者整机损耗水平接近，但 SiC 级联 JFET 拥有无可替代的综合优势。

在驱动方面，器件由高压 SiC JFET + 低压硅 MOS 级联而成，栅压工作区间 9~15V，驱动特性对标传统硅 MOS，无需 GaN 必备的负压关断电路，大幅简化外围驱动电路，降低系统设计难度；在成本上，器件无栅氧化层，简化制造工艺、缩小芯片面积，有效降低整机 BOM 成本；同时三相 LLC 架构可降低电流有效值、减少器件用量，综合性能优于单相、堆叠式 LLC，与 SiC Cascode JFET 匹配度更高。

纳芯微

纳芯微在展台上实物展示了基于NS800RT5039 电源专用 MCU开发的 900W 服务器标准 PSU，专为数据中心、AI 算力设备供电场景打造，在紧凑机身内实现大功率稳定输出。

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该方案AC-DC 侧采用交错并联 Boost 拓扑，DC-DC 侧搭配高频隔离半桥 LLC；依靠开关占空比、工作频率双维度调节，精准控制网侧电流与输出电压。控制环路融合前馈补偿 + 自适应 PID 算法，可在 10%~90% 负载阶跃变化场景下，0.5ms 内完成输出电压调节，电压波动幅度控制在 300mV 以内，完美适配 AI 负载瞬时功率剧烈波动的特性。

主控采用纳芯微NS800RT5039，集成Cortex-M7 内核，搭载双精度浮点 FPU 与硬件数学运算加速器，主频最高 260MHz；配备大容量带 ECC 校验存储资源、32 路高精度 ADC、32 路 PWM（含 16 路高分辨率 HRPWM），集成多组模拟比较器、高速通信外设，单颗芯片即可完成电源全流程采集、运算、控制与保护，大幅简化电源板级外围电路。

针对高频 LLC、半桥拓扑的氮化镓功率管驱动痛点，纳芯微推出新品NSD2123 E-mode GaN 专用半桥驱动，补齐高密度 AI 电源宽禁带驱动环节。该产品面向服务器 PSU、二级中间总线电源，同时兼容光伏储能、工业机器人等设备，适配 Buck、Boost、LLC、HSC 全主流开关电源拓扑。

行业高频半桥电路普遍存在动态栅极过压、桥臂负压、高 dv/dt 干扰、上下管误导通四大风险，NSD2123 通过三大专利架构针对性解决：智能自举充电控制、分离式 Split Output 驱动、内置有源米勒钳位，显著提升 MHz 级高频开关工况下的系统稳定性，充分释放 GaN 器件高频、高功率密度优势。

意法半导体

意法半导体展出了12kW面向AI数据中心的800V转50V电源变换器解决方案，该12kW数据中心转换电源采用800V转50V架构，初级LLC半桥、次级全桥的ISOP（输入串联输出并联）拓扑，1MHz开环工作，全功率效率达98%，适配液冷散热。搭载STM32G474主控，采用高低压GaN器件搭配专用驱动，辅以L6565和1200V高压MOS的辅助电源，高效高可靠。

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以及展出了800V DC转12V的6kW 850kHz LLC变换器，该方案使用700V氮化镓功率晶体管，在次级端使用40V低压MOSFET，并将800V转换为12V，峰值效率达97.5%，功率密度为2500W/in³。简而言之，它是12千瓦系统的一个更小版本，省略了中间的54V转12V转换器。其特点如下：消除传统的54V中间级，减少转换步骤和系统级损耗。实现更高的机架级效率、更少的铜缆使用，并简化未来GPU世代的集成。包含新开发的高密度电力输送板（PDB），实现了超过之前两级转换路径总和的效率目标。

东芝半导体

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东芝半导体完整展出覆盖AC-DC 前端、中间级变换、负载点 DC-DC的全链路 AI 服务器电源解决方案，同步推出新一代沟槽栅 SiC MOSFET、低压功率 MOSFET 与配套光耦隔离器件。

本次东芝展出多款可直接落地的标准化电源参考方案，完整覆盖 AI 服务器供电全流程。包括1.6kW LLC 谐振 AC-DC 转换器，面向标准机架服务器开发，采用成熟 LLC 谐振拓扑，兼顾宽负载区间高效率与低 EMI，适配常规功率等级算力机柜前端市电变换；另外还有3kW 高功率服务器/通信电源方案，核心搭载贴片式 SiC MOSFET 器件，相比传统硅基方案，同等设备体积下功率密度实现翻倍，完美匹配大功率 AI 服务器扩容需求，适配 HVDC 高压直流架构。

针对下一代 800V HVDC 数据中心开发，东芝推出TW007D120E 沟槽栅 SiC MOSFET，采用东芝自研专属沟槽栅结构，达成业界领先的单位面积导通电阻 RDS (on) A；相比前代产品，单位面积 RDS (on) 降低 58%，品质因数 RDS (on)×Qgd 优化 52%，同步压低导通损耗与开关损耗。

罗姆

罗姆这次搭建了AI 服务器、车载、工业设备三大核心展区，集中展出全新第五代 EcoSiC™ SiC MOSFET、宽禁带 GaN、硅基功率器件、车载模拟 IC 与完整电源参考设计，依托自研功率+ 模拟全栈产品矩阵，覆盖从电网输入到芯片负载的完整功率变换链路，展现功率半导体深度系统级应用能力。

除了适用于服务器的1.1kW ITTF AC-DC转换器、1.6kW LLC谐振AC-DC转换器之外，值得关注的是还展出了此前罗姆发布的第五代 EcoSiC™ SiC MOSFET。

罗姆第五代 EcoSiC™ SiC MOSFET通过重构器件结构、优化全套制造工艺，在 175℃高温工况下，同等芯片尺寸、相同耐压规格下，导通电阻相比第四代产品降低约 30%，大幅削减高温导通损耗；同时优化开关特性，兼顾导通、开关双重损耗平衡，适配高温、大功率持续运行场景。

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