罗姆半导体（上海）有限公司
展位号：16号馆D12
罗姆（ROHM）是一家成立于1958年的半导体和电子元器件制造商。由起初的主要产品-电阻器的生产开始，历经60余年的发展，已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。
通过遍布全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的电源领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括SiC功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。如欲进一步了解详情，请访问罗姆的官网：https://www.rohm.com.cn
Q&A
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A:在本次PCIM Asia 深圳 2026上，罗姆计划展示第5代SiC MOSFET、1200V IGBT、面向SoC的PMIC、搭载SiC模块的三相逆变器参考设计、650V 耐压GaN HEMT等能够满足AI服务器、车载、工业设备等领域最新需求的丰富产品和解决方案，全方位呈现在半导体领域的综合技术实力。
此外，罗姆还将设立应用案例展区，集中展示先进产品在实际场景中的应用成果，通过系统化的方案演示，让观众更直观地了解罗姆技术从器件到系统的落地价值。
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A:罗姆是全球少数同时拥有SiC、GaN、Si及LSI业务的的半导体制造商。通过与全球头部企业建立的合作伙伴关系，致力于为AI服务器市场贡献力量。提供的产品不仅包括以高功率效率和高功率密度助力降低功耗的SiC、GaN产品，还包括适用于HSC的Si MOSFET、隔离型栅极驱动器和电源IC等外围元器件，可满足最新AI服务器的多样化需求。
罗姆的中期经营计划确立了四大核心战略：首先是构建均衡的产品组合，以功率器件和模拟LSI为核心持续推动汽车业务增长，同时强化工业设备及民用其他领域（服务器、家电等）的布局；其次是培育下一代支柱业务，例如着力发展传感用光学器件。在自动驾驶领域的LiDAR及扫地机器人等智能设备传感应用中，预计未来需求将持续增长；其三是扩大AI服务器相关业务规模。目前罗姆拥有涵盖宽禁带半导体（如实现高压大电流领域低损耗的SiC/GaN）及兼具低导通电阻与高SOA耐受性的热插拔电路用功率MOSFET等广泛产品线。其四是根本性改善收益结构，将通过跨职能体制推进全公司变革。
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A: （一）电源供应单元（PSU）
随着生成式AI的崛起和云计算技术的发展，数据中心正面临着前所未有的算力需求。激增的AI服务器功耗和发热问题，以及应对HVDC（高电压直流）供电等新供电架构的挑战——解决这些课题的关键，在于电源单元（PSU）的革命性技术突破。
特别是超过80 PLUS® Titanium的极致能效，以及满足高密度化服务器机架的更小型和更高功率密度设计需求，可以说已成为必不可少的硬性要求。而能够突破这一高难度挑战的“关键元器件”，正是能够超越传统硅基元器件极限的SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等材料制成的元器件。
罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LVMOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的超级结MOSFET（SJ-MOSFET）产品群。
在这些种类繁多的产品群基础之上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC，这正是罗姆的优势所在。
（二）AI服务器主板
随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标（PUE），从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。
罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN（氮化镓）器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。
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A: 随着AI应用的普及，服务器的高密度安装和功耗攀升已进入一个新阶段。如何在有限的机架空间内实现最大处理能力的同时，兼顾系统整体稳定运行与节能降耗，是服务器设计中最重要的课题。
首先，在BBU（备用电池单元，用来在电源异常时保护数据）设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态（SoH）的电池电量监控IC（电量计IC）等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。
此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA（安全工作区）范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。
罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC（高压直流供电）机架应用需求的丰富产品群。
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A:750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”采用TOLL (TO-LeadLess)封装，散热性能更优，并具备高电流能力，与传统的TO-263封装相比，占位面积减少了约26%。目前已被应用于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中，该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温（Tj）达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。
罗姆的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaN HEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服务器电源采用（如下图）。罗姆的GaN HEMT具有低损耗工作和高速开关性能，助力Murata Power Solutions的AI服务器5.5kW输出电源单元实现小型化和高效率工作。
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A: GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车（EV）的车载充电器等高电压领域的应用也日益广泛，预计未来需求还将持续扩大。
今年，罗姆决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。
罗姆于2010年在全球率先开始SiC MOSFET的量产以来，不断推动先进产品的技术开发。目前，罗姆将这些SiC元器件命名为“EcoSiC™”品牌，并正在不断扩展产品群。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。今年，罗姆开发出了第5代SiC MOSFET，同时也提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。并且，通过构筑SiC供应体制，实现以裸芯片、分立器件和模块等各种形态供货，从而促进SiC的普及，为实现可持续发展社会做出贡献。
罗姆半导体（上海）有限公司将携带多款产品
亮相PCIM Asia Shenzhen 2026
16号馆 D12展位
诚挚邀请您莅临展会现场参观！
PCIM Asia Shenzhen 2026 将于今年8月26-28日亮相深圳国际会展中心（宝安新馆）14&16号馆。届时将汇聚全球电力电子产品及其驱动技术和变电质量应用界的专业人士，展示电力电子产品和系统领域前沿研发成果。
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