深圳麦科信科技有限公司
展位号：16号馆B12
麦科信科技成立于2012年，是国家级专精特新“小巨人”企业。公司持续深耕前沿技术，聚焦示波器及探头领域，屡次开创行业先河。成功研发业界首台全触控平板示波器，颠覆传统仪器的笨重形态；基于安卓深度定制的SigtestUI™ 专业测试系统，成为首款专为测试场景定制的平台，彻底解决工程师“携带不便、操作繁琐”的痛点，重新定义便携测试设备标杆。
凭借自研 SigOFIT™ 核心技术，麦科信在光隔离探头上实现技术突破，填补国内空白并领先全球，解决了第三代半导体（SiC/GaN）在高压、强干扰环境下的测试难题。目前，公司已构建起涵盖高分辨率示波器及全系列精密探头的产品矩阵，深度赋能新能源发电、储能与微电网、新能源汽车、工业电源、轨道交通、电机驱动、数字能源等核心赛道。
秉持“超越测试的极限”之信念，麦科信持续探索物理世界的微观精度，以极致精准的测试测量技术，守护全球客户的信任与托付，构筑电力能源高效可控的智能世界。
Q&A
魏金玲 副总
深圳麦科信科技有限公司
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A:作为电力电子领域专业测试方案提供商，麦科信高度重视PCIMAsia这一行业风向标平台。期待与产业链深度对接，共推测试标准落地。重点展示SiC/GaN高频高压测试方案。
一、核心展品：第三代光隔离探头MOIP系列
全新推出麦科信第三代光隔离探头MOIP系列，融合独家ADHOMT模数混合激光调制、光纤隔离与先进激光供电技术，可365天×24小时不间断精准测试，彻底避免电池供电需充电导致的测试中断。
核心参数：85kVpk+隔离耐压、DC-1GHz带宽、180dB超高共模抑制比、≤450ps上升时间、底噪<0.45mVrms\直流增益精度优于1%
关键优势：零温漂、免校准、长期稳定运行，标配通用BNC接口，兼容全品牌示波器，核心性能全面领先传统高压差分探头与业内其他光隔离方案，处于业界领先水平，完美破解第三代半导体高压高频测试难题。
二、八通道同步测试主力：MHO6系列示波器
专为八通道同步测试设计的MHO6系列，轻松应对功率模块多相桥臂并行信号分析。
核心参数：1GHz带宽、6GSa/s实时采样率、1.8Gpts存储深度、8通道模拟输入、12位垂直分辨率（4096量化级）
关键优势：12位分辨率较传统8位示波器提升16倍细节捕捉能力，清晰还原IGBT/SiC开关过程中毫伏级纹波
；搭配16英寸1920×1200防眩光触控屏与37.6mm超薄机身，兼顾高精度与操作便捷性，是高速功率电路研发理想搭档。
三、高效便携测试首选：麦科信便携平板示波器
麦科信MHO1系列、TO系列、STO系列便携平板示波器，主打轻量化、长续航、易操作的移动测试需求。MHO1系列搭载12位高分辨率与4⅚位高精度万用表，8英寸触控屏，支持TypeC充电；TO系列配备10.1英寸高清触控屏，续航持久、接口丰富，适配日常研发与现场排障；STO系列采用工业级显示屏，自带WiFi远程控制，轻薄便携、续航持久；同时包含ETO系列，提供大屏高性能便携测试选择。全系列支持多种总线协议解码与SCPI指令，兼顾高分辨率、深存储与易用性，实验室研发、户外调试、产线检测一机搞定，是工程师随身必备的高精度便携测试利器。
四、高压动态测量：DP系列高压差分探头
DP系列高压差分探头，专注开关电源环路分析、IGBT/SiC开关损耗精准动态测量。
核心参数：最高300MHz带宽、最大±7000V电压量程（DC+ACpk）、高输入阻抗120MΩ/0.78pF（差分）、直流增益精度±2%（可定制±1%高精度版）
关键优势：优异幅频特性与共模抑制比，一键秒调零、双量程灵活切换，低负载测量设计，保障高压场景信号不失真。
五、超大电流瞬态监测：RCP系列柔性电流探头（罗氏线圈）
RCP系列柔性电流探头基于罗氏线圈结构，满足多相电机、大功率变流器瞬态大电流监测需求。
核心参数：最高12000Apk峰值电流、带宽最高30MHz、线圈周长80–700mm多规格可选、线圈截面直径1.6–8.0mm、耐压最高10kVpk
关键优势：轻巧柔软易插拔，超低插入损耗，微型线圈可测管脚级电流，支持周长/长度/耐压定制，适配复杂布线与大线径场景。
六、高频交直流精准测量：CP系列高频交直流电流探头
CP系列高频交直流探头，专为SiC/GaN器件动态特性、高频开关电流测试打造，覆盖DC–100MHz超宽频带。
核心参数：带宽DC~100MHz（CP1003B）/DC~10MHz（CP1510）、最大300Arms/500Apk测量电流、双量程设计、直流精度±1%、噪声低至1.5mArms
关键优势：交直流无缝切换，一键调零/消磁，双重过载与钳口锁紧报警，5mm/20mm多钳口适配，小信号与大电流瞬态测试兼顾，高频信号无失真捕获。
七、低频交直流便携测试：CP2100系列低频交直流电流探头
CP2100系列低频交直流探头，面向工业驱动、低频电源等场景，提供稳定可靠的小/中电流测量方案。
核心参数：带宽DC~2.5MHz（CP2100B）/DC~800kHz（CP2100A）、10A/100A双量程、最大100Apk/70.7Arms电流、钳口直径13mm、自动/手动调零
关键优势：分体式小巧设计，两档量程灵活切换，测试便捷不中断电路，适配实验室与现场多种低频测试场景。
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A:我们高度认同功率半导体正进入新能源汽车/光伏储能+AI算力双轮驱动的新成长周期。新能源奠定第一增长曲线，AI算力带来第二增长曲线，两者共同推升功率器件向高频、高效、高压、高可靠方向升级，也对测试测量、EMC治理、电源验证提出更高要求。
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A:AI算力爆发使单机柜功率从6–8kW跃升至50kW以上，电源系统面临高功率密度、低损耗、高稳定性、强散热、严苛EMC五大核心挑战：母线电压抬升、开关频率提升、损耗控制极致、动态响应要求严苛、零中断供电刚需，传统硅基器件与常规测试手段难以满足。
功率半导体核心价值：
1.效率提升：SiC/GaN降低导通与开关损耗，显著提升电源转换效率，降低数据中心PUE；
2.功率密度升级：高频化缩小磁性元件与整机体积，适配高密度机柜；
3.供电稳定性：快速开关与精准控制支撑低压大电流、高动态负载的平稳输出；
4.EMC优化：低噪声器件与优化拓扑降低干扰，简化系统滤波设计。
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A: GaN高增长核心驱动力：首要来自AI服务器电源、快充电源、中小功率高频电源，其次是车载OBC、光伏微型逆变器。AI电源追求高频高密度、消费与工业快充追求小型化高效化，共同驱动GaN在中低功率、高频场景快速渗透；
SiC6英寸向8英寸过渡：行业处于产能爬坡与良率提升阶段，8英寸可显著降低单片成本、提升一致性，长期利好车规与大功率市场普及。短期面临设备投入、工艺兼容、缺陷控制挑战，成本下降呈渐进式。
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A:车规级应用中，SiCMOSFET与GaN场景差异明显。SiCMOSFET耐压高、耐高温、可靠性强，主要用于主驱逆变器、800V高压平台、大功率OBC、高压DCDC等大功率强电场景。GaN高频高效、体积小，更适合650V及以下高频OBC、低压辅助电源等小功率场景，暂不用于主驱。
未来5年，SiC、GaN与先进IGBT将长期共存、分层替代。IGBT坚守400V平台与经济型车型；SiC主导800V主驱并向中端渗透；GaN专注车载高频小功率电源。
主驱逆变器领域，SiC对IGBT的替代拐点预计在2026—2027年，随着800V平台普及、SiC成本下降与8英寸产能释放，将在中高端车型率先规模化替代。
深圳麦科信科技有限公司将携带多款产品
亮相PCIM Asia Shenzhen 2026
16号馆 B12展位
诚挚邀请您莅临展会现场参观！
PCIM Asia Shenzhen 2026 将于今年8月26-28日亮相深圳国际会展中心（宝安新馆）14&16号馆。届时将汇聚全球电力电子产品及其驱动技术和变电质量应用界的专业人士，展示电力电子产品和系统领域前沿研发成果。
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