得一微电子AI-MemoryX®亮相FMS 2026,展现AI存力创新实力

SSDFans 2026-08-14 15:52


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美国当地时间8月4日至6日,FMS(Future of Memory and Storage全球闪存峰会)在圣克拉拉盛大举行。作为存储行业最具权威性的年度技术盛会,FMS汇聚全球存储厂商、芯片巨头与云服务商,集中展示闪存、SSD、内存接口等领域的前沿技术与产品,是观察存储行业技术风向与AI基础设施演进趋势的重要窗口。


得一微电子(YEESTOR)作为AI存力芯片设计企业,始终以创新为驱动,积极推动存储技术向前发展。本届FMS 2026,得一微电子带来AI-MemoryX®系列存力解决方案,围绕“AI存力芯片”核心战略,向全球产业界展示从芯片底层重构AI计算范式的前沿突破。

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AI-MemoryX®
从芯片底层架构创新,重构计算范式

AI正以前所未有的速度重塑存储产业格局。头部厂商技术路线清晰指向更高闪存堆叠层数、更高带宽与更低访问延迟;与此同时,CXL内存池化、HBM/HBF高带宽存储、智能SSD等技术加速落地,存储与计算的边界日益模糊。在AI推理与训练工作负载驱动下,存储正从“数据仓库”向“计算伙伴”演进。

得一微电子AI-MemoryX®存力芯片战略,正是顺应这一产业趋势推出的技术路线。AI-MemoryX®旨在通过芯片承载智能化存力能力,并主动为AI系统的GPU/NPU提供高效计算卸载和数据预处理能力。整体技术布局围绕三大支柱展开:存储控制层面,通过智能主控优化NAND访问效率与数据路径;存算互联层面,以高速接口与协议创新打通存储与计算之间的带宽瓶颈;存算一体层面,在存储介质侧嵌入轻量级处理能力,实现数据在近存储位置完成预处理。三大技术协同创新,构建存算协同的智能处理范式,为从端侧设备到智算中心提供全场景的存力解决方案。
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全场景AI存力版图
从PCIe Gen5到多终端领域持续落地

本届FMS现场,得一微电子系统呈现了全场景AI存力产品矩阵。核心展品包括面向AI PC市场的PCIe Gen5 SSD存力主控YS9503。该芯片基于AI-MemoryX智能存力架构,以无独立DRAM缓存的精简设计实现旗舰级性能——顺序读取达14.8GB/s、顺序写入14.3GB/s、随机读写均达300万IOPS,并搭载分离命令地址(SCA)技术进一步提升高并发场景下的NAND接口效率。无DRAM设计显著降低了物料成本与主板布局复杂度,功耗与热设计方面也具备出色余量,为AI PC端侧应用提供兼具高性能与成本效益的实现路径。

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终端市场层面,得一微电子存力解决方案已实现广泛落地:AI手机领域,从eMMC到UFS系列主控芯片,为端侧AI影像处理、智能交互提供高速数据支持;智能汽车领域,车规级eMMC、BGA SSD及UFS存力方案已与数十家主流车企及Tier 1供应商深入合作,支撑智能座舱、辅助驾驶及车载AI系统的实时决策与数据闭环;智慧工业与AIoT领域,宽温级存力产品规模应用于电力、通信、能源等核心场景。此外,公司持续推进CXL、存算一体等前沿技术研发,为下一代AI基础设施建设储备核心技术能力。


AI存力新愿景
让每比特数据创造更多智能
FMS作为全球存储产业的核心交流平台,也是连接海外市场、开展产业协作的重要窗口。从台北COMPUTEX到硅谷FMS,得一微电子持续亮相全球顶级科技展会,向全球展示中国AI存力芯片的创新成果。
存储与计算的深度融合,正在重新定义AI时代的效能边界。AI系统优化重心正从单一GPU算力转向内存共享、存储架构与高速互连的全栈协同。得一微电子将以AI-MemoryX®为支点,推动存算协同的规模化落地,为全球AI产业释放更澎湃的存力价值。

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