高盛研判：中国先进芯片自主化迎拐点，2035年供需缺口缩至34%

【区角快讯】半导体产业的国产化进程正悄然跨越关键门槛。据快科技援引消息，高盛在8月24日发布的《中国半导体国产化进程持续推进》报告中直言，随着本土晶圆代工厂产能的急速膨胀，中国7纳米及以下先进制程晶圆的供需失衡状况将得到显著改善。数据显示，这一缺口有望从2025年的92%大幅收窄，直至2035年降至34%。

届时，国内先进制程晶圆的月产能预计攀升至41万片，尽管面对61.9万片的预估需求仍存差距，但供给端的扩张速度惊人。报告测算，2025年至2035年间，中国先进制程晶圆供给的年复合增长率高达46%，远超同期国内需求17%的增速。值得注意的是，若以产量计，中国芯片自给率在2026年6月已触及约70%，相较于2010年1月的38%，实现了近乎翻倍的增长。然而高盛也冷静指出，若换算为产值维度，实际存在的自给率缺口依然远大于产量数据所显示的乐观景象。

在这场产能扩张浪潮中，中芯国际扮演着绝对主力角色。高盛的模型假设显示，2026年至2031年间，中芯国际每年将新增3万至5万片先进节点晶圆的月产能；此后直至2035年，每年再增加2万片。这种大规模扩产势必引发新一轮半导体投资热潮。高盛预测，中国芯片资本支出在整个2020年代将保持两位数年度增长，到2030年规模将达820亿美元，这一数字较一年前的预测值大幅上调了79%。

伴随制造端的爆发，上游设备市场同样受益。预计中国晶圆制造设备市场规模将在2027年达到530亿美元，本土设备供应商的市场占有率将从2025年的26%稳步提升至2028年的38%。不过，良率问题仍是制约产能有效释放的核心瓶颈。高盛假设中芯国际先进制程良率将从2026年的23%逐步爬升，至2030年达到50%，并在2035年进一步升至75%。作为行业标杆，台积电自2018年量产7纳米芯片以来，其良率依据芯片设计和尺寸的不同，早已稳定在90%以上。这一对比凸显出，除了产能堆砌，工艺成熟度的提升才是国产芯片真正突围的关键所在。