未来存储大会：SK海力士、闪迪主推HBF!

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SK海力士与闪迪共同发布了业界首个高带宽闪存（HBF）标准规范，标志着AI存储架构演进中的重要里程碑。该规范在2026年圣克拉拉举行的FMS大会上发布，为介于HBM和SSD之间的全新存储层级建立了一个开放框架，旨在解决大规模AI基础设施面临的最紧迫挑战之一：在经济性上同时实现超大带宽与存储容量。

这一发布恰逢HBF联盟成立仅六个月，且SK海力士与闪迪开始合作推进标准化工作约一年。该规范已通过开放式计算项目（OCP）提交，使HBF成为开放的行业标准而非专有技术。谷歌和Tenstorrent已加入该联盟，反映出业界对下一代AI系统通用存储架构日益增长的关注。

HBF旨在充分利用NAND闪存技术，同时提供远高于传统SSD的带宽性能。初始规格支持最高512GB的存储容量，采用8-high或16-high NAND芯片堆叠结构，并提供三个带宽等级，范围约为0.4 TB/s至3.0 TB/s。其关键架构特征是采用通用芯片级互连快速（Universal Chiplet Interconnect Express，简称UCIe）标准，使HBF设备能够通过开放的芯片级生态系统，与异构处理器（包括GPU和CPU）进行接口连接。

在FMS 2026大会上，SK海力士高管Kim Chun-sung和Kang Uk-song阐述了公司对分层内存（Tiered Memory）的发展愿景，指出未来的代理式AI平台将需要多个优化的内存层级，而不仅仅依赖DRAM或HBM。公司表示，通过智能整合HBM、HBF和SSD，可在推理工作负载持续扩展的同时，提升性能并提高整体系统效率。

会议稍后的技术专题讨论环节中，SK海力士、闪迪和谷歌DeepMind将共同探讨HBF如何通过扩大内存带宽并显著提升可用容量，来突破行业长期存在的“内存墙”问题。

除HBF外，SK海力士还利用FMS 2026大会展示其下一代NAND技术。该公司首次公开展示了其375层V10 4D NAND闪存，相比上一代产品功耗效率提升了2.5倍。SK海力士计划于明年年初开始量产基于该技术的企业级SSD，目标市场为AI数据中心，其中能效已与存储密度同等重要。

SK海力士执行副总裁兼解决方案开发负责人Kim Chun-sung表示：“随着AI应用的快速普及，我们正处在一个需要重新设计整体数据处理架构的关键节点。通过HBF技术，SK海力士将拓展内存与存储之间的界限，助力构建提升系统整体效率的新架构。”

• SK海力士与闪迪共同发布了首个开放型HBF标准。

  
  

• HBF在HBM和SSD存储之间创建了新的存储层次。

  
  

• 初始容量可达512GB，采用8-high和16-high NAND芯片堆叠。

  
  

• 三种带宽等级覆盖约0.4 TB/s至3.0 TB/s。

  
  

• UCIe为GPU和CPU提供标准化的芯片级连接接口。

  
  

• 该规范已通过开放式计算项目（OCP）发布。

  
  

• 谷歌与Tenstorrent已加入HBF联盟。 

  
  

• SK海力士将内存分层技术作为未来AI基础设施架构的重点。 

  
  

• 谷歌DeepMind、闪迪和SK海力士将在2026年FMS论坛的专题讨论中探讨HBF。 

  
  

• SK海力士还发布了其375层V10 4D NAND存储器，能效提升达2.5倍。

  
  

   

分析

尽管GPU和HBM在AI基础设施领域仍受到广泛关注，但系统架构师越来越意识到，内存层次结构已成为LLM和智能体AI工作负载的瓶颈。HBM具备出色的带宽，但价格昂贵且容量有限；而SSD则提供海量存储空间，但性能显著下降。HBF旨在通过结合NAND的经济性与大幅提升的带宽，填补这一差距，打造专为AI推理优化的全新中间层级内存。通过OCP标准化该技术并采用UCIe协议，这一决策具有战略意义，有望实现不同处理器厂商之间的互操作性，而非构建新的封闭生态系统。如果被广泛采用，HBF 可以通过减少内存瓶颈并降低整体系统成本，成为未来超大规模AI 服务器中的重要建筑元素。

原文链接：

https://convergedigest.com/fms-sk-hynix-sandisk-pitch-high-bandwidth-flash/

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