同时，基于此类器件的存算一体芯片，目前也已从学术探索迈入小批量工程量产阶段。其核心优势在于存储单元与计算单元的深度耦合，使权重数据直接在存储阵列内完成矩阵乘加运算，从而大幅减少数据搬移，显著提升有效算力与能效比。因此，存算一体路线也被视为后摩尔时代延续算力增长的关键路径之一。
在上述背景下，新型存储器技术研讨会将于9月21日上午在2026全球AI芯片峰会分会场二同期举行，由主题报告、圆桌Panel和Q&A时间三个环节组成。
新型存储器技术研讨会邀请到了致真存储创始人王戈飞，寒序科技联合创始人兼首席执行官朱欣岳，中科院半导体所博士、熵旋芯智创始人及CEO雷坤，忆元科技创始人郝镇齐，领开半导体AI产品部负责人卢镜如五位来自科研与产业一线的技术专家。他们将围绕SOT-MRAM、uHBM与uLPU架构、MRAM存内计算、新型存储“HBF+”以及忆阻器存算一体等核心议题带来主题报告、圆桌Panel和现场问答，本场研讨会由忆元科技创始人郝镇齐主持。
除了新型存储器技术研讨会，本届峰会还设置了开幕式以及大模型AI芯片、Agent推理芯片、具身智能芯片三场高峰论坛，还有四场技术研讨会：
超节点技术研讨会（全天）（）
Token工厂异构混训技术研讨会（半天）
AI芯片架构创新技术研讨会（半天）（）
大模型KV Cache技术研讨会（半天）（）
目前来自大厂、高校及产业一线的60位技术大咖已确认出席，并将带来主题演讲报告。
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