充电头网获悉，Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）近期推出两款基于αMOS E2平台打造的600V高压超结MOSFET，分别是AOGT037V60DE2和AOGT060V60DE2。

两款新品均采用GTPAK顶部散热封装，在提升散热能力的同时减少PCB散热压力，面向服务器、工作站、电信整流器、太阳能逆变器、电机驱动以及工业电源等中高功率应用。

此次发布的AOGT037V60DE2和AOGT060V60DE2均为600V N沟道MOSFET，最大导通电阻分别为37mΩ和60mΩ，通过不同阻值规格覆盖中高功率电源设计需求。

两款产品均采用10.0×15.0×2.3mm GTPAK封装，其中AOGT037V60DE2额定漏极电流为82A，AOGT060V60DE2额定漏极电流为50A。

围绕服务器电源高频化、高功率密度发展趋势，AOS目前已经构建覆盖高压MOSFET、低压MOSFET、DrMOS等器件的供电方案。充电头网此前也曾对AOS服务器供电技术路线进行详细介绍。

GTPAK顶部散热，优化高功率电源热设计

高功率电源在持续提升功率密度后，MOSFET产生的热量如何快速导出，已经成为影响PCB布局、器件温升以及整机体积的重要因素。

AOS此次将αMOS E2芯片与GTPAK顶部散热封装结合，在器件顶部设置大面积散热区域，可以更直接地与散热器等结构配合，将更多热量从器件顶部导出，而不是主要依赖PCB进行散热。

这种结构能够在一定程度上降低PCB承担的热负荷，为功率器件周围的布板释放更多空间，也有利于缩短部分大电流电气路径。通过同时优化电气路径和散热路径，可以进一步提升中高功率系统的功率密度及长期运行可靠性。

GTPAK还采用鸥翼式引脚设计，可以缓解器件与PCB之间因温度循环及机械应力带来的影响，增强板级连接可靠性，更适合服务器电源、工业电源等长时间工作的应用环境。

强化体二极管，应对高应力开关工况

除封装升级外，αMOS E2平台还重点强化了高压MOSFET的体二极管性能。

该平台内置快恢复体二极管，通过降低反向恢复电荷Qrr，减小体二极管换向过程中产生的损耗及开关应力，并兼顾系统EMI表现。其体二极管鲁棒性测试中的di/dt可达到1500A/μs。

与此同时，αMOS E2平台具备非钳位感性开关（UIS）耐受能力、浪涌电流承受能力以及较宽的安全工作区（SOA），并具备短路耐受能力。针对高速dv/dt环境，AOS还对栅极阈值及驱动特性进行优化，降低寄生导通风险。

这些特性对于服务器电源、工业电源等应用尤为重要。此类设备不仅要求正常运行状态下保持较高效率，也需要功率器件能够承受启动、短路、负载突变等异常工况带来的瞬态应力。

在应用方面，AOGT037V60DE2和AOGT060V60DE2可用于Boost PFC、图腾柱PFC慢桥臂、LLC谐振变换器、移相全桥（PSFB）以及CrCM H-4/Cyclo逆变器等拓扑。

对于服务器及工业AC-DC电源，600V超结MOSFET可以用于PFC以及高压DC-DC功率级；在太阳能逆变器领域，则可以覆盖DC-AC等高压功率转换环节。

特别是在AI服务器功率持续提升的背景下，高压功率器件正在承担更重要的前级功率转换任务。此前充电头网在AOS AI算力电源方案报道中，也曾介绍其从5.5kW服务器电源到800VDC供电架构的功率器件布局。

AOS此次推出AOGT037V60DE2和AOGT060V60DE2，在αMOS E2 600V超结MOSFET平台基础上进一步引入GTPAK顶部散热封装，并针对体二极管、UIS、SOA以及高速动态工况进行了可靠性强化。

对于服务器电源、通信电源和工业电源而言，功率密度提升并不只是降低器件损耗，还需要同步解决散热、PCB空间以及异常工况可靠性问题。

顶部散热封装将MOSFET热路径从PCB进一步向散热器侧转移，为中高功率电源提供了另一种热设计思路。此次两款600V产品的推出，也进一步完善了AOS面向高功率AC-DC、DC-DC及逆变器应用的高压功率器件布局。