近日有消息称，长鑫科技正准备进入NAND闪存市场，并计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线。这意味着，这家国产DRAM龙头将在核心业务之外，进一步拓展存储芯片产品布局。
据知情人士透露，长鑫科技已在北京设立研究机构，其中部分项目涉及NAND技术开发。此外，长鑫科技还已就NAND业务计划与客户展开沟通，其中包括一家新成立的初创企业——该公司计划采购长鑫科技的NAND芯片，用于AI系统和超级计算机相关存储产品。
不过，目前尚不清楚研发生产线何时开始运营，也不清楚长鑫科技是否计划从研发和试产阶段转向大规模商业化制造。
（相关报道截图）
其实，长鑫科技进军NAND，此消息并非毫无根据。
作为国内唯一实现DRAM大规模量产的企业，长鑫科技近年来在DRAM赛道一路狂飙。根据Counterpoint数据显示，2026年第二季度，长鑫科技全球DRAM市场份额已从去年同期的3%跃升至8%，营收环比增幅高达99.3%，市占率逼近10%。另据TrendForce数据显示，其DRAM营收达146.24亿美元，稳居全球第四。
在DRAM领域站稳脚跟后，长鑫科技需要一条“第二增长曲线”。而NAND闪存，这个规模同样超千亿美元的市场，是最自然的选择。
从技术角度看，DRAM和NAND同属存储芯片，在晶圆制造、封装测试等环节有诸多共通之处。目前，长鑫科技在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，其在DRAM领域积累的工艺能力和研发体系，可以部分迁移到NAND领域。
另外，在AI算力爆发、高性能计算需求激增的当下，高端存储芯片成为产业核心刚需。而全球NAND闪存市场长期由海外巨头主导，国产替代空间巨大。若此时入局NAND赛道，不仅能填补自身产品空白，更能与深耕NAND领域的国产企业形成互补，完善国产存储“DRAM+NAND”双核心产业格局。
最后，需要说明的是，以上流传的信息尚属网络传闻，具体事实还有待官方进一步核实与通报。
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