9月18日消息，据报道，国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，并已设立研究院开展NAND开发项目。
报道称，长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通，其中一家新成立的初创公司计划采购长鑫的NAND芯片，用于AI系统和超级计算机的存储产品，但并未透露该客户名称。
目前研发生产线何时开始运营尚不清楚，长鑫是否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。
长鑫存储作为国内DRAM领域的龙头，目前在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模居中国第一、全球第四。
此次跨界进入NAND闪存，意味着长鑫将从DRAM赛道向存储全品类扩展，目前全球NAND闪存市场由三星主导，据TrendForce数据，2026年第二季度三星以29.3%的市场份额位居第一，SK海力士排名第二，美光位列第三。
在NAND领域，国内已有长江存储，凭借自研Xtacking架构在3DNAND方向实现突破，2026年一季度营收同比增长100%，全球市场份额约12%。
