三星HBM4E,获英伟达审核通过

半导体芯闻 2026-10-08 18:40
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三星电子下一代高带宽内存(HBM)产品HBM4E 12层已通过NVIDIA和主要超大规模数据中心运营商的质量验证。


据韩京网7日报道,三星电子内存事业部于上月底通过了包括NVIDIA在内的主要超大规模数据中心客户进行的HBM4E 12层认证测试。该测试旨在验证产品是否符合客户要求的标准。然而,目前仅确认通过了质量验证,各客户的供货量、合同规模以及量产供货时间尚未最终确定。


HBM4E 是在 HBM4 基本结构的基础上,提升运行速度、带宽和能效的产品。继去年 2 月 HBM4 量产出货之后,三星电子在 5 月表示已向全球客户提供了 12 层 HBM4E 样品。尽管该公司当时并未透露具体客户,但业内人士猜测是英伟达和一些大型超大规模数据中心公司。


继今年2月HBM4大规模出货后,三星电子已完成其后续产品HBM4E主要客户的质量验证,从而巩固了其在下一代HBM供应竞争中领先一步的基础。业内人士认为,此举使三星能够积极拓展供应机会,以适应高性能AI内存市场的产品代际更迭,该市场是三星与SK海力士和美光等公司竞争的领域。


三星电子此前发布的12层HBM4E产品容量为48GB。该公司表示,该产品每引脚运行速度高达16Gbps,比其前代产品HBM4快20%以上。三星电子解释说,通过低功耗设计和优化封装结构,其能效也比上一代产品提高了16%。


该产品采用1c(10nm级第六代)DRAM和三星电子晶圆代工的4nm逻辑芯片。这与之前量产的HBM4所采用的工艺组合相同。在样品发货时,三星电子宣布了根据客户进度供应量产HBM4E的计划。


三星电子仅表示“无法确认”HBM4E 12层芯片产品是否通过了客户的质量验证。


(来源:编译自hankyung)


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