8 月 28 日，第十二届张江高科·芯谋研究集成电路产业领袖大会分论坛在上海张江举办。分论坛分设两场——设备材料零部件分论坛与硅光和算力芯片分论坛，来自半导体产业链各环节的企业代表、专家学者齐聚一堂，围绕最新的产业趋势、前沿技术与市场走势展开深入分享。
深圳埃芯半导体董事长张雪娜在设备材料零部件分论坛上做了题为《迈向 3D 时代：半导体量检测的机遇与挑战》的精彩分享。
张雪娜在开场即点明当下这个技术周期的核心变化：芯片制造正在从 2D 平面迈向真正意义上的 3D 时代——不仅是器件结构的 3D 化，更是架构层面的重构。平面微缩逐步逼近物理极限，逻辑器件由 FinFET 向 GAA 演进，并进一步探索 CFET 等新型三维架构；DRAM 向 3D 架构发展，3D NAND 则持续向更高层数、更高纵向集成度演进。而这些器件级架构又与晶圆级、封装级架构共同演进，共同突破摩尔定律的物理边界。
"埃芯的'埃'就是 Angstrom（埃米）的意思，当时我们就相信，最终一定会进入埃米时代。"张雪娜表示。
3D 时代给量检测带来了三大核心挑战：超高叠层结构、高深宽比结构与更小物理尺寸的薄膜。3D NAND持续提升垂直堆叠能力、DRAM向三维结构加速演进。DRAM 的 Capacitor Etch、3D NAND 的 Channel Hole 结构深宽比持续攀升；而 High-K 超薄膜、Interfacial Layer 已经进入亚 Mono-layer 尺度，测量需要"Angstrom level 的 precision"。
在封装级，3D 时代同样带来一系列新命题：TSV 三维尺寸测量、键合界面缺陷、金属内部 Void、晶圆 Warpage 控制、CMP 制程控制、跨芯粒套刻对准——先进封装的量检测已经不能再套用前道 Fab 的经验。张雪娜特别提到，"当两片 wafer 键合到一起时，产生的微观应力会直接影响 device，看两片对准情况必须在 atomic level，而光学的宏观做法根本 see through 不了两片 silicon。"
针对这些挑战，埃芯半导体以"光学+X 射线"双引擎构建量检测解决方案。光学产品覆盖紫外到红外的全波段，用于膜厚测量、OCD、In-Device Overlay 与混合键合检测；X 射线产品则利用 XRD、XRR、XRF、XRT、XPS、X-ray CT 等技术，覆盖晶格缺陷、薄膜成分、Bonding 界面信息、TSV 内部缺陷成像等。公司同时开发了 Optical+X-ray 混合量测叠加 AI 计算的联合方案。
埃芯半导体成立于 2020 年底，是国家高新技术企业和工信部专精特新"小巨人"，总部在深圳，在北京、上海、武汉、合肥设有分支机构。公司定位为 AI芯片制造良率控制设备关键供应商，聚焦"先进工艺+先进封装"两大方向——覆盖先进Logic、先进DRAM、先进3D NAND，以及Chiplet集成、HBM等前沿应用。目前公司已在国内一线晶圆厂实现规模量产。
埃芯定位：AI芯片制造产业环节的核心设备供应商
"埃芯不断探索新的解决方案，支持先进制程与三维集成的量检测需求。"张雪娜最后表示，公司将持续与客户共同探索，随着工艺演进不断迭代，助力芯片性能的持续攀升。
