SEDEX 2026首尔开幕：三星SK海力士同台亮剑HBM4E及前沿存储架构

【区角快讯】10月14日至16日，第28届半导体展（SEDEX 2026）在首尔江南区COEX会展中心拉开帷幕。在这场为期三天的行业盛会上，存储巨头三星电子与SK海力士不约而同地将第七代高带宽内存HBM4E作为核心展示内容，同时披露了多项面向未来的创新技术路线。

三星方面带来的HBM4E产品亮点突出，其采用10纳米级第六代DRAM结合4纳米制程裸片，单引脚传输速率跃升至14Gbps至16Gbps区间，较前代HBM4提升幅度超过20%。该芯片最高带宽可达3.6TB/s，其中12层堆叠版本容量达48GB，相比上一代实现逾30%的增长。目前，三星已于今年5月向全球客户送样12层版本，并计划后续推出8层32GB及16层64GB规格。此外，三星还展示了zHBM概念原型，通过垂直堆叠显著缩短数据传输路径，配合下一代晶圆键合技术，其内存密度预计可达HBM5的10倍以上，能效提升3倍。针对边缘AI场景，三星同步推出了LPDDR-PIM与zNAND-O解决方案。

SK海力士则展示了同等规格的HBM4E，传输速率同样达到16Gbps，能效提升逾20%，热阻降低约17%。借助先进MR-MUF工艺及接口优化，该公司有效降低了数据延迟，并于6月完成12层48GB版本的客户送样与验证。更具前瞻性的是，SK海力士提出了HBF（高带宽闪存）构想，旨在融合HBM速度与NAND容量，构建介于两者间的全新层级，目标容量约为HBM的10倍，并支持UCIe标准以灵活集成至各类处理器平台。SK海力士开发总裁安铉预测，到2030年AI基础设施性能将增长约20倍，且推理需求将在复杂度、上下文长度及请求量三个维度同步扩张。