Intel Nova Lake-HX/H处理器封装细节首度披露,台积电N2P工艺接管核心算力

科技区角 2026-10-19 11:00

【区角快讯】10月19日,科技媒体快科技援引“Moore's Law Is Dead”博主曝光的最新裸片图像,首次揭示了英特尔下一代Nova Lake-HX及Nova Lake-H移动处理器的内部架构与封装布局。这一消息为业界观察英特尔在高性能计算领域的技术演进提供了珍贵的一手资料。

从公布的详细数据来看,定位高端的Nova Lake-HX采用了极为复杂的6芯片堆叠封装方案。其总核心数达到惊人的28核,具体构成为8个性能核(P核)、16个能效核(E核)以及4个低功率能效核(LPE)。整个封装尺寸被控制在12×30mm,总面积约为360平方毫米。在这六颗芯片中,承担主要计算任务的模块面积约为104平方毫米,完全交由台积电采用先进的N2P工艺制造,负责承载那24个核心;图形模块则沿用英特尔自家的Intel 3-E工艺,集成4个Xe核心,面积26平方毫米;而SoC枢纽和外围控制模块分别采用Intel 18A-P工艺,面积分别为72平方毫米和58平方毫米,其中SoC枢纽专门服务于4个LPE核。此外,还有两颗被动填充模块,面积分别为21平方毫米和85平方毫米,主要用于物理支撑及散热均衡。

相比之下,Nova Lake-H版本在图形、SoC枢纽及外围控制模块上与HX版保持一致,差异主要体现在计算模块和被动模块上。H版的计算模块面积缩减至55平方毫米,仅容纳4P+8E共12个核心,被动模块也相应缩小至45平方毫米,使得整体封装尺寸变为12×23mm,面积约276平方毫米,比HX版缩短了7毫米。

在工艺分配策略上,英特尔将最核心的计算模块外包给台积电N2P代工,自家Intel 18A-P工艺仅负责SoC枢纽和外围控制,图形模块继续使用更成熟的Intel 3-E工艺。MLID还特别指出,所有测量值与真实值的误差均控制在5%以内,且部分数值经过修改以保护消息源。另外,拥有12个Xe核心的配置将使用单一芯片,该芯片将占据图形模块及其相邻填充模块的空间。

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