一、先进封装成为AI算力“第二增长曲线”

在AI大模型持续推高算力需求的背景下，单纯依靠晶体管微缩提升性能的边际收益正在递减，算力提升正从“晶体管微缩”转向“封装集成”：2.5D横向扩大集成面积，3D纵向缩短数据路径，CPO则把光互连拉进封装。先进封装由此成为AI算力的“第二增长曲线”，市场与资本两条曲线同步上扬。

市场端：Yole预测，全球高端性能封装市场将从2025年的121亿美元增长到2031年的520亿美元，年复合增速约27%，其中CoWoS-L类结构增长最快；到2031年，混合键合收入占比将达到58%，超越微凸点，成为高端封装第一大互连方式。

资本端：2025年全球先进封装资本开支约169亿美元，Yole预计2026年将再增长约40%，达到238亿美元。需要注意，这是预测值，全年数据仍要等年报发布后再确认。国内方面，长电科技2026年资本开支预算约100亿元。

价格端：涨价信号正在发生。据2026年10月中旬的报道，日月光、京元电、力成等台系封测厂报价普遍上调10%–30%；日月光在7月法说会上将2026年资本开支计划由85亿美元上调至105亿美元。

图1：先进封装市场与资本：两条曲线同步上扬（E为预测值）。来源：Yole《High-End Performance Packaging 2026》《Status of the Advanced Packaging Industry 2026》；日月光2026年7月法说会；澎湃新闻（2026-10-12）；深芯盟整理。

互连演进的主线是凸点间距持续缩小。如图2所示，从倒装芯片（Flip Chip）约140 μm的凸点间距，到2.5D/3DIC约40 μm，再到SoIC约10 μm及以下的Cu–Cu混合键合，凸点间距每缩小一代，互连密度就跃升约一个量级。

更重要的是，互连密度每跃升一个量级，就需要一次材料换代——微凸点→混合键合、有机→硅→玻璃、铜散热→金刚石散热。这也是先进封装与关键材料必须放在一起观察的原因（关键材料部分另文展开）。

图2：互连演进：凸点间距每缩小一代，互连密度跃升一个量级。来源：台积电SoIC公开资料，经《国产键合技术全面向低温常温混合键合转型》整理；深芯盟整理。

二、国内先进封装技术图谱：从凸块、扇出到2.5D/3D、玻璃与CPO

国内先进封装已形成从凸块、扇出到2.5D/3D、玻璃基板与CPO光电共封的全线布局。表1按技术层级由低到高，梳理了八类技术的结构原理、关键指标、国内代表厂商（平台）与国产阶段，其中2.5D/3D在本文第四至六节展开，玻璃基板与CPO在第七至九节展开。

表1：国内先进封装技术图谱：从凸块、扇出到2.5D/3D、玻璃与CPO全线布局。来源：各公司公告、招股说明书、官网、半年报及展会资料（截至2026年10月）；阶段判断以公开交付证据为准；深芯盟整理。

从表1看，凸块、扇出、2.5D硅中介层和3D微凸块堆叠已进入规模量产或量产爬坡，其中硅中介层的量产主力是武汉新芯和盛合晶微。光罩拼接能力方面，盛合晶微发布了3.3倍光罩硅基2.5D方案，湖北星辰技术在展会上公开了4倍光罩拼接能力，二者都属于能力发布；星辰的硅转接板（HeteroStar-SIC）是9月底随二期通线才补齐的，目前仍处中试阶段。

混合键合真正规模量产的是存储W2W，代表是长江存储Xtacking和武汉新芯S/M-stacking。湖北星辰技术以独立第三方代工定位推出HeteroStar先进封装工艺平台：晶圆级W2W做的DRAM加逻辑三维近存计算芯片，2026年3月开始风险量产出货，但风险量产还不是规模量产；芯粒级D2W（HeteroStar-HIC）公开了200 nm键合精度、<5 μm互连间距，尚未披露出货，仍在验证。玻璃基板与CPO则处于送样验证窗口。

判断口径：国内已形成“晶圆厂前道硅中介层→封测厂中道凸块/TSV露头→后道组装测试”的2.5D分工；3D混合键合在存储W2W率先量产，存算3D（湖北星辰）已风险量产出货，逻辑D2W仍处验证。观察国产进度时需坚持两个口径：“有TSV”不等于“有自产AI中介层”；“风险量产”也不等于“规模量产”。

三、国内格局：2026H1大陆5家进全球封测前十，资本涌向2.5D/3D

由于第三方机构的2026年上半年封测排名尚未发布，图3榜单为深芯盟按各家2026年半年报/季报自行测算：日月光仅取封测（ATM）口径，统一按上半年平均汇率折算为美元，并按总部所在地归属地区。

测算显示，2026H1全球前十大OSAT合计营收约225.0亿美元。中国大陆有5家进入前十：长电科技第三（28.3亿美元）、通富微电第四（23.3亿美元）、华天科技第五（15.2亿美元）、智路封测第七（约12.9亿美元）、盛合晶微第十（4.9亿美元），合计约占前十营收的37.7%。中国台湾有日月光、力成、京元电3家，合计约占42.9%，主要依靠日月光一家的体量（75.6亿美元）；美国安靠以35.8亿美元位列第二，占15.9%；韩国韩亚微占3.6%。

图3：2026H1全球OSAT营收排名（亿美元，按总部；右列为同比增速）。来源：各公司2026年半年报/季报（日月光取ATM口径）；*智路封测未上市，按芯思想2025年口径反推全年约178亿元，取半、不计增长估算；按H1均值汇率折算；深芯盟测算。

从增速看，日月光封测收入同比增长33.1%，主要由AI先进封装拉动，增速高于大陆头部企业；华天科技上半年增长35.1%，首次反超力成科技（14.1亿美元，+32.4%）。长电科技增长5.0%，通富微电增长23.0%，韩亚微增长82.7%，京元电子增长36%，盛合晶微增长7.2%，以中段晶圆级能力稳居前十。前十之外，南茂科技4.5亿美元（+27.1%）、颀邦科技3.9亿美元（+17.8%），甬矽电子以3.5亿美元（+20.0%）列第13位，是大陆第六家。

需要说明的是，智路封测没有上市，其数值是按芯思想研究院2025年榜单反推全年约178亿元、取一半且不计增长估算的，属于保守口径；用TrendForce的口径交叉验证，它也在第七位左右。

资本端，新一轮投资明显集中流向2.5D/3D、HBM与混合键合。如图4所示，2026年重点先进封装项目中，东盛合芯临港一期与湖北星辰技术产业化基地一期投资均约100亿元，并列第一；盛合晶微江阴一期约98亿元，长电临港基地（两期）78亿元；佰维芯成汉奇三期（拟）45亿元、通富微电定增42.09亿元、颀中科技苏州2.5D项目24.54亿元、沛顿科技扩产18.5亿元、天成先进一期（珠海TSV）9.5亿元。

图4：2026年重点先进封装项目 / 融资规模（亿元）。来源：各公司公告及地方政府公开信息；深芯盟整理。

时间节点上，盛合江阴一期于5月12日开工，东盛合芯临港一期于6月29日开工；星辰技术基地一期5月底开工、8月突破正负零，规划产能3万片/月（基地总投资250亿元），星辰今年还完成了近50亿元A轮融资；通富微电定增于9月16日上市；长电科技2026年资本开支预算约100亿元。

但“开工≠量产”。从开工到形成有效产能，后续仍需持续跟踪通线、客户认证与良率爬坡三项信号。

四、2.5D原理：TSV硅中介层与三种中介层结构

2.5D封装的核心是硅中介层，它以“微米级布线+垂直导通”把逻辑芯粒和HBM连接起来。如图5所示，其结构自上而下为“芯片→微凸块→RDL→硅中介层（TSV）→载板”：逻辑芯片与HBM堆栈并排置于中介层顶部，经微凸块进入顶部RDL精细布线，TSV再把电气路径纵向引向中介层背面，并通过背面再分布与凸块连接有机载板，最终经BGA焊球接入系统PCB。

图5：2.5D封装结构：芯片→微凸块→RDL→硅中介层（TSV）→载板。来源：TSMC CoWoS官网及2026年技术论坛（结构示意）；原理示意，非实际叠层比例；深芯盟整理。

以台积电CoWoS为参照，中介层有三种结构（图6），国内对应平台均已布局：

▸ CoWoS-S｜全硅中介层：TSV+硅基细线；3.3倍光罩（约2700 mm²），2012年起量产；难点在大面积加工与装配良率。国产对应：武汉新芯硅转接板量产；盛合SmartPoser-Si大规模量产，8月发布3.3倍光罩硅基2.5D方案。

▸ CoWoS-R｜有机RDL中介层：以聚合物RDL替代硅，4 μm pitch（2/2 μm线宽线距）；成本更低，难点在翘曲、铜附着与介电损耗。国产对应：长电XDFOI规模量产；盛合SmartPoser-RDL小量试产；通富VISIONS。

▸ CoWoS-L｜RDL+局部硅桥（LSI）：高密度连接集中于硅桥；3.5倍光罩，2024年规模生产，Yole预计增速最快（CAGR 28.1%）。国产对应：盛合SmartPoser-BD全流程验证、6倍光罩硅桥完成工艺开发；华天SiCS。

图6：台积电CoWoS三种中介层结构及国产对应平台。来源：TSMC CoWoS官网；Yole；盛合晶微、武汉新芯官网与招股书；深芯盟整理。

中介层的价值不在先进逻辑节点，而在高密度布线与信号完整性。硅中介层采用65nm成熟制程即可，关键是深硅通孔、多光罩拼接与DTC深沟槽电容。面积越大，翘曲、供电与良率压力越大：台积电5.5倍光罩CoWoS已在产，14倍光罩规划于2028年；格罗方德与台积电签署20亿美元硅中介层协议，产能外溢趋势明确。

五、3D集成：从微凸块走向混合键合

3D集成正从微凸块走向混合键合。混合键合的原理分三步（图9）：介质面在常温下预键合；退火时由于金属CTE大于氧化物，铜膨胀闭合凹陷间隙；继续加热后铜在无外部压力下压紧并扩散熔合，实现无焊料、无凸点的Cu–Cu互连。

图9：混合键合原理：介质常温预键合→退火铜膨胀闭合间隙→铜–铜扩散熔合。来源：imec（IEDM 2023）及行业公开资料；混合键合机理示意；深芯盟整理。

量产标杆是长江存储Xtacking（W2W混合键合，图10）。存储阵列与外围CMOS分别在两片晶圆上独立加工，再经数百万个金属VIA通过混合键合“合二为一”。武汉新芯的双/多晶圆堆叠同属W2W平台，已量产。商用W2W间距约1 μm，互连密度达百万级/mm²。

图10：量产标杆：长江存储Xtacking（W2W混合键合）。来源：长江存储Xtacking官网；深芯盟整理。

三条键合路线各有适用场景（表2）：W2W在3D NAND和CIS率先量产；D2W适合HBM和逻辑芯粒，国内盛合、华进在验证；SAB表面活化适合异质集成。

表2：三条键合路线与国产进展。来源：imec（IEDM 2023）；各公司公告；深芯盟整理。

国产键合设备链已形成梯队：拓荆科技Dione 300（W2W）获重复订单，Pleione（D2W）达百纳米级精度并已出货；北方华创推出Qomola HPD30（D2W）；青禾晶元聚焦SAB常温键合；芯慧联、迈为亦在布局。全球格局方面，Besi占混合键合设备约67%份额，Adeia掌握核心专利。

密度跃迁：TCB微凸块间距由40 μm缩至10 μm，混合键合则由<10 μm走向亚微米，互连密度达10K–1M/mm²、能耗约0.05 pJ/bit；Yole预计2031年混合键合将占高端封装收入的58%。国产节奏：W2W已在3D NAND与晶圆堆叠规模量产，D2W处于全流程验证；低温/常温键合是抑制翘曲与对准偏移、支撑异质集成的关键方向。

六、量产实践：武汉新芯“TSV全流程”与盛合晶微“2.5D/3D封装”

用武汉新芯和盛合晶微两家企业，可以看清国产硅中介层的量产实践：前者以晶圆厂身份负责“前道造板”，后者以封测厂身份负责“中道集成”。

武汉新芯：前道TSV硅中介层+晶圆级3D。前道环节涵盖深硅通孔、多光罩拼接、DTC深沟槽电容与精细铜互连，中道覆盖减薄与背面RDL。2026年8月，公司官方确认S-stacking、M-stacking与2.5D硅转接板均已量产；其第三座晶圆厂已封顶，规划新增5万片/月产能，覆盖三维集成、配套逻辑与RF-SOI。

图7：武汉新芯：前道TSV硅中介层+晶圆级3D平台（左：硅中介层前道制造与中道处理；右：双/多晶圆直接集成）。来源：武汉新芯官网及2026年8月发布；图为公司方案示意；深芯盟整理。

盛合晶微：SmartPoser-Si八道中后道工序。SmartPoser-Si从硅转接板晶圆来料起加工，依次完成正面凸块、晶背研磨与平坦化露铜、背面凸块、芯片贴装、塑封、测试等八道中后道工序（图8）。2026年上半年，公司芯粒多芯片集成封装收入18.28亿元，占营收比重53.66%；8月31日发布3.3倍光罩硅基2.5D方案。其平台矩阵中，SmartPoser-Si大规模量产，SmartPoser-RDL小量试产，SmartPoser-BD全流程验证并完成6倍硅桥工艺开发，3DIC-BP规模量产，3DIC-HB全流程验证。

图8：盛合晶微：SmartPoser-Si八道中后道工序与平台阶段。来源：盛合晶微招股说明书（2026-04-15）、2026年半年度报告、官网技术发布（2026-09-01）；图为公司方案示意；深芯盟整理。

由此，国产2.5D已形成“前道硅中介层（晶圆厂）+中道TSV露头/凸块（封测厂）+后道组装测试”的协同分工。判断口径：“有TSV≠有自产AI中介层”；3.3倍光罩、6倍硅桥属于能力发布，仍需跟踪具体客户型号、批次良率与出货量。

七、玻璃芯板：低损耗、CTE可调、超平整，接棒有机芯

玻璃在先进封装中有三种身份：临时玻璃载板、玻璃中介层/布线层和玻璃芯封装载板（图11）。本文聚焦第三种：以玻璃芯（Glass Core）替代FC-BGA有机芯板，由TGV承担Z向电互连。

玻璃的优势可以概括为“低损耗、CTE可调、超平整、面板级”：10 GHz下介电损耗Df仅0.001–0.003，有利于高速信号；CTE在3–8 ppm/K之间可调、贴近硅，可抑制大尺寸翘曲；表面超平整，RDL线宽/线距可达2/2 μm、层间对准<±1 μm；可在510×515 mm面板上板级加工，面积利用率高。短板是导热仅1.1–1.4 W/m·K（硅约150）。

图11：玻璃的三种身份（临时载板→玻璃中介层→玻璃芯载板）与玻璃芯关键性能。来源：《玻璃基板与硅光子融合产业链研究报告》；结构示意；深芯盟整理。

STATS ChipPAC在ECTC 2026上发表的同尺寸试验载具（TV）对比（表3）给出了直观证据：在74×74 mm封装、2颗25×25 mm芯片加6颗15×10 mm存储的相同配置下，从有机芯换成玻璃芯后，基板层数由14层降至8层（−43%），总厚度由1.81 mm降至0.92 mm（−49%），通孔孔径由150 μm降至90 μm（−40%），玻璃芯让层数与厚度近乎减半。

表3：同尺寸试验载具：玻璃芯让层数与厚度近乎减半。来源：STATS ChipPAC ECTC 2026论文试验载具（经SemiAnalysis刊载，非量产规格）；深芯盟整理。

价值：低损耗+CTE匹配+超平整+面板级，同时缓解超大封装的翘曲、布线密度与高速信号三大瓶颈，适配2倍光罩以上的AI/HPC芯片。挑战：脆性与切割微裂纹、TGV金属化附着、导热偏低，以及与积层、组装生态的匹配——这正是国产材料与设备切入的机会点。

八、玻璃基板产业化：国际冲刺量产，国内进入送样与小批量窗口

国际：2026年试产起步，2027–2029年量产爬坡（表4）。英特尔在NEPCON 2026展示了业界首款10-2-10厚玻璃芯+2颗EMIB硅桥方案（图12）；SKC Absolics美国佐治亚工厂今年投产；三星电机计划FY2027下半年量产；台积电CoPoS预计2028–2029年量产；DNP与LG伊诺特的节点在2028年前后。

表4：国际玻璃基板产业化进展。来源：英特尔NEPCON 2026；三星电机、DNP公告；The Elec；深芯盟整理。

图12：英特尔NEPCON 2026：业界首款10-2-10厚玻璃芯+2颗EMIB硅桥，78×77 mm封装、约2×光罩硅含量、45 μm凸点间距，组装与可靠性验证进行中。来源：英特尔NEPCON 2026公开展示；深芯盟整理。

国内：板级工艺已贯通，进入客户送样与小批量（表5）。京东方试验线今年上半年通线，2027年做量产决策；沃格已小批量交付；云天的晶圆级TGV累计出货超过2万片；蓝思科技、三叠纪/佛智芯分别处于中试与研发向小批过渡阶段。

图13：京东方玻璃基封装载板：展出玻璃芯（Glass Core）与Q-substrate等样品；2026年6月六家A股公司集中澄清“尚未规模量产”。来源：京东方展会公开展示；上市公司公告；深芯盟整理。

时间表收敛：国际龙头2026年试产、2027–2029年量产爬坡；国内京东方、沃格、蓝思等已完成板级工艺贯通，与国际差距约1–2年。理性判断：“有TGV样品≠进入装片供货”；关键看封装厂装片、可靠性（回流/温循/湿热）与连续交付，规模应用预计在2028–2030年。

九、光电共封（CPO）：玻璃基板同时“走电+走光”

玻璃的另一个价值是“走光”。CPO把光引擎从面板拉进封装，电通道缩短至毫米级，功耗较可插拔光模块可降低50%–70%。玻璃透明、低损耗、可直接做波导，是“电互连+光互连”合一的理想载体。当前存在两条路线，硅光与IOX波导正走向融合。

路线A：硅光CPO——SOI波导走光，玻璃/有机基板仅走电。光路为“光纤→FAU→SOI波导→Ge探测器→微凸块→EIC”。FAU有源对准单颗耗时>5 min、良率<60%，是规模化瓶颈。图14展示了硅光材料、测试与耦合供应链。

图14：路线A：硅光CPO及硅光材料、测试与耦合供应链（2025年5月）。来源：《玻璃基板与硅光子融合产业链研究报告》；深芯盟整理。

路线B：玻璃光电融合——TGV走电+IOX玻璃波导走光。光路为“光纤→IOX扇入→45°反射镜→PIC”，端到端损耗目标≤2.5 dB；代表方案为康宁GlassBridge、英特尔玻璃耦合器（图15）。

图15：路线B：玻璃光电融合封装结构示意（TGV走电+IOX玻璃波导走光）。来源：《玻璃基板与硅光子融合产业链研究报告》；康宁GlassBridge公开资料；深芯盟整理。

国内进展：华工科技、中际旭创、光迅、CUMEC推进光引擎与硅光平台，长电、通富布局CPO封装，湖北星辰技术也已在中试平台上完成CPO成套工艺初步验证。材料瓶颈集中在SOI晶圆、IOX玻璃与精密耦合。

十、总结与展望：国产化进度、三个判断与2026–2030关键节点

把上述平台放在同一张国产化矩阵中看（表7）：2.5D硅中介层、3D微凸块和存储W2W混合键合已量产，星辰的硅转接板刚在二期补齐，仍在中试；2.5D RDL/硅桥处于小量试产。DRAM-Logic存算3D这一行的代表是湖北星辰技术：它为东方算芯DF1000完成了量产验证，2026年3月起风险量产出货，9月底二期通线；但风险量产还不是规模量产，平台要到2027年一季度才全面达产。D2W、玻璃芯和CPO处于验证或送样，星辰在D2W上公开了200 nm键合精度，CPO成套工艺也已完成初步验证。

表7：国产先进封装平台国产化阶段矩阵。来源：各公司公告、招股书与半年报；行业调研与展会资料；阶段判断为深芯盟基于公开信息的评估，截至2026年10月。

表8：2026–2030年关键节点展望（含预期）。来源：前文各节；Yole；公司公告；时间节点含公开规划与深芯盟预期，仅供参考。

国产先进封装已经从“能不能做”，进入“良率、成本与客户导入”的阶段。2028年前后有望形成“玻璃基CPO+金刚石散热”的新一代AI封装范式。基于上述梳理，我们给出三个判断：

判断一｜平台：2.5D/3D进入“量产+爬坡”。盛合晶微2.5D收入占比过半、武汉新芯晶圆级3D已量产；下一步是3.3倍以上光罩中介层、硅桥与D2W混合键合的良率爬坡与客户导入。关键词：良率·产能·客户导入。

判断二｜材料：从“单点替代”走向“体系协同”。电镀液、键合介质、SOI、特种玻璃与金刚石都必须与设备、工艺联合验证；国产材料的胜负手在于纯度、批次一致性与封装厂认证周期。关键词：纯度·一致性·联合验证。

判断三｜前沿：玻璃+光+热三重融合。玻璃芯板同时承载TGV走电与IOX走光，金刚石破解千瓦级热墙；