10 月 12 日，OCP 全球峰会开幕当天，纳微半导体宣布与英伟达合作开发出一块 24 千瓦电源板，将在英伟达合作伙伴展示墙上展出。

这块板子约 40 厘米长、6 厘米宽，功率足以支撑一整个 GPU 计算托盘。它可以直接贴在计算主板上、靠近 GPU 布置，把 800 伏直流一次降到 12 伏，省掉了原来 50 伏转 12 伏那一级。

50 伏这档电压并不新鲜，谷歌 2010 年前后就在机房里大规模使用；如今英伟达机柜里的铜排、集中供电电源架、备用电池等，很多仍是围绕它设计的。现在要砍掉这一级，意味着主板侧要直接承接 800 伏高压，并一次性完成六十多倍的降压。

这带来几个关键问题。

·50 伏当初为什么会被保留？现在它为什么又显得多余？

·一步从 800 伏降到 12 伏，难在哪些环节？

·国内方案是继续保留 50 伏，还是直接切到 12 伏、6 伏？

·这块板子背后的氮化镓功率芯片，国产厂商又走到了哪一步？

图1：800 伏进了计算托盘以后，供电从三级变成两级（示意）。原来先在机柜的电源架里降到 50 伏，再在主板上降到 12 伏；纳微这块板子一步降到 12 伏。最后一级 12 伏降到 1 伏以下，不变。

1. 中间那一级，当初为什么要有？

50 伏：机柜里人能碰的最高一档

过去服务器机柜多用 12 伏直流，但功率上去后电流太大，铜排发热严重。谷歌从 2010 年起改用 48 伏，2016 年又和 Facebook 一起把它写进开放机柜标准，因为电压升到 4 倍，电流降到四分之一，线路损耗只剩十六分之一。

之所以停在 48 伏附近，是因为直流 60 伏是一条安全分界线，低于它，降压可以不隔离，省掉变压器，体积更小、成本更低，效率也能高一两个点；超过它，就必须隔离。48 伏、50 伏、54 伏其实属于同一档，只是各家叫法不同，下文统一称为 50 伏。

50 转 12：给 GPU 旁边那一级配的转换头

50 伏进了服务器，还不能直接喂给芯片。

GPU 核心电压通常在 1 伏以下，最后一级由主板上的 VRM 完成，而传统 VRM 多按 12 伏或更低电压设计。于是主板上多了一级“中间总线转换器”，先把 50 伏降到 12 伏，再交给 VRM。英伟达 2025 年的技术博客也提到，目前机柜电源会把 415 伏交流转成 54 伏直流送进每个计算托盘，再做后续转换。所以，50 伏是为机柜配电和人员安全选的，到了主板上，它只是一个中转站。

图2：60 伏是一条线，线上的电压要用变压器隔开，线下的可以不用（示意）。从 800 伏往下降，不管降到哪一档，都要跨一次这条线。

2. 800 伏进了托盘，50 伏为什么成了多余的一站？

反正要过一道变压器，不如一次降到底

800 伏进了托盘后，50 伏那一级就不再必要。

因为 800 伏远高于 60 伏安全线，电一进托盘就必须先经过隔离变压器。既然隔离这道“齿轮”省不掉，不如一步把 800 伏降到 12 伏。

英伟达 Kyber 机柜计划在 GPU 旁用 64:1 的 LLC 谐振转换器完成单级降压，相比传统多级方案效率更高，占用面积减少 26%。

如果先降到 50 伏、再降到 12 伏，等于隔离后还多一级转换，多一次损耗，也多占一块板子。

少一站，就少一次损耗、少一块板子

每过一级转换，都要损耗一点电。

算一笔简单的账：每一级效率都按 97% 算，三级串起来，只剩约 91%（示意，实际每一级的效率各不相同）。少一级，就少乘一个 97%。

面积的账，英伟达已经给了：少 26%。在 GPU 旁边，这块地方寸土寸金。

电流从 30 安变成 2,000 安，所以板子要贴着 GPU

还有一笔电流的账。同样 24 千瓦：

•800 伏：电流 30 安；

•50 伏：480 安；

•12 伏：2,000 安。

2,000 安走不了远路。电流越大，走同样一段铜，损耗按电流的平方涨。所以纳微说，这块板子要尽可能靠近 GPU 安装；德州仪器（TI）的一位电源技术专家也说过，转换器必须离最后一级很近，否则会有很大的损耗和压降。

图3：同样 24 千瓦，电压越低，电流越大：800 伏 30 安，50 伏 480 安，12 伏 2,000 安，6 伏 4,000 安（按电流等于功率除以电压计算）。

这里要澄清一个常见误区。800 伏进了主板，不等于 GPU 旁边就是 800 伏。800 伏只到这块电源板的入口，过了变压器就是 12 伏，GPU 吃到的仍是 1 伏以下。

所以，被砍掉的不是一个做得不好的器件，而是一站已经没有存在理由的中转。

3. 一步降六十多倍，这块板子要过哪几道关？

纳微这块板子难在三处：扛住 800 伏，把电压一步降下来，再把 2,000 安送出去。三道关，都落在功率芯片上，尤其是开关管。

图4：一步降六十多倍，要过三道关：两组开关管分着扛 800 伏，变压器负责降压和隔离，低压一侧很多颗开关管并联出 2,000 安（示意，不代表纳微的实际电路）。

第一关：650 伏的管子，扛住 800 伏

800 伏进托盘，第一关是“管子能不能扛住”。纳微这块板子原边用了 16 颗 650 伏氮化镓开关管，接成堆叠半桥。氮化镓比硅更适合高频开关，两颗上下串成一组、轮流导通，就是一个半桥。

650 伏的管子要扛 800 伏，靠的是分压：两组半桥再上下串联，每组只分到一部分电压，相当于几个人一起挑担子。意法半导体 2025 年展示的 800 伏转 50 伏电源板也用了类似思路；EPC 的评估板把 800 伏切成 8 段、每段约 100 伏，用 150 伏氮化镓；意法 2026 年 3 月展示的 6 伏板同样分成 8 层，用 120 伏氮化镓。

今天的电源架正好是个对照。现有把 800 伏降到 54 伏的电源架，多用 1,200 伏碳化硅器件，一颗管子直接扛住 800 伏，开关频率通常在几十到上百千赫兹。而用 650 伏氮化镓、让每颗只扛约 400 伏，被视为 2028 年以后的升级方向。氮化镓开关快、每次开关损耗小，频率才能推上去，板子也才能做得更小、更密。

第二关：六十多倍分三步摊，变压器要小，靠频率

从 800 伏到 12 伏的六十多倍降压，不靠一个变压器硬扛，而是分三步摊：先分段、再半桥对半、最后由变压器按匝数比降压。

EPC 的方案是切成 8 段，每段约 100 伏，半桥对半成 50 伏，变压器再按 4:1 降到 12.5 伏。如果直接用 650 伏氮化镓做 16:1 变压器，单个要承担 3 千瓦；切成 8 段后，变压器只需 4:1，单个只承担 750 瓦，相当于把一个大齿轮拆成几个小齿轮。

图5：把 800 伏分给几组管子扛，分得越细，每颗管子要扛的电压越低。各家的分法出自公开资料；纳微每段约 400 伏、意法每层约 100 伏，是按电路形式推算的。

频率越高，变压器越小。纳微 2026 年 3 月展示的 6 伏板开关频率达 1 兆赫兹，采用平面变压器；EPC 的板子也在 1 兆赫兹附近，线圈直接做在 14 层电路板里，整块仅 8 毫米厚。

但一步降这么多，稳压也难。66:1 的变比让谐振变换器稳压范围变窄，负载波动时不易稳住，高压侧电磁干扰也更强。EPC 干脆按固定变比降压，800 伏进、12.5 伏出，把稳压交给后面的 VRM。

第三关：2,000 安的出口，七百多瓦的热

12 伏侧要输出约 2,000 安，得靠多颗低耐压开关管并联做同步整流，用开关管代替二极管，损耗更低。纳微 2026 年 3 月展示的 6 伏板用的是 25 伏硅 MOSFET，EPC 则用 40 伏氮化镓。

按纳微 97% 的目标效率估算，输出 24 千瓦时板子自身发热约 740 瓦，全挤在 40×6 厘米的面积里。为此它采用双面散热封装，相关负责人在 2026 年 3 月 APEC 会议上表示这类板子必须双面散热；麦格米特的同类电源板也支持冷板液冷。按目标功率密度推算，整块板子体积不到 200 立方厘米，比一罐 330 毫升的可乐还小。

还有一关：难题从热与铜，变成安全与控制

低压大电流时代，主要难在散热和铜排；到了 800 伏高压直流，难点变成隔离、防电弧、浪涌和绝缘监测。

直流电没有交流电那样的过零点，插拔时一旦拉弧，电弧不容易自行熄灭。

所以 800 伏托盘上电通常要按顺序来：先接地针，再接信号针，然后预充、检查极性和绝缘，最后才合上主回路；拔出时也要等残余电压降到安全值。

液冷又增加了复杂性，冷凝和水汽会降低绝缘表面电阻，普通服务器电路板在 800 伏下也更容易沿面放电。

标准也要跟上。服务器电源常用的 IEC 62368-1 及其国内对应标准 GB 4943.1—2022，原本更多覆盖 600 伏以内的设备；800 伏输入电源的合规路径还在完善中。

这一关最后也落到芯片上：带电插拔和开机浪涌要靠热插拔控制芯片，高低压两侧的信号传递要靠隔离驱动芯片，板上还需要绝缘监测。纳微这次新闻稿给出的仍是目标效率、目标功率密度、器件和电路形式，开关频率、实测效率和量产时间尚未披露。

4. 砍到 12 伏还是 6 伏？为什么还有人留着 50 伏？

砍掉 50 伏中间级是趋势，但降到哪一档，各家还在比。

6 伏：VRM 压力更小，但电流翻倍

纳微 2026 年 3 月在 GTC 先展示了 800 伏转 6 伏板，10 月称其为 20 千瓦级。TI、意法也分别拿出 800 伏转 6 伏方案，峰值效率分别达 97.6%、96.5%。降到 6 伏后，VRM 降压比减半，但 24 千瓦下电流要到约 4,000 安，板子必须贴得更近，GPU 旁供电芯片也要换。英诺赛科已推出用于 6 伏到 1 伏级的 DrGaN，并完成头部客户送样。

12 伏：电流小一半，存量生态更友好

英伟达 2025 年技术博客写的是 800 伏直降 12 伏。纳微 24 千瓦板、英飞凌 6 千瓦参考设计、EPC 和意法 6 千瓦评估板，以及台达配电板，都覆盖 800 伏转 12 伏路径。12 伏电流只有 6 伏的一半，GPU 旁仍可沿用围绕 12 伏成熟的供电芯片。

50 伏：老机房离不开，也有人算另一笔账

英飞凌仍保留 800 伏转 50 伏参考设计，认为高压级和末级效率提升可补回中间级损耗。台达展出 90 千瓦 800 伏转 50 伏电源架，最高效率 98.5%；光宝也展出 800 伏转 50 伏电源砖。

Vik's Newsletter 10 月初判断，800 伏直降 12 伏、6 伏仍在早期，因为存量设备大量基于 48/54 伏原生架构。

国内：这两年先不砍

字节 2026 年 7 月发布的 AI Rack 3.0 采用 800 伏进柜、单柜 500 千瓦、双柜 1 兆瓦，柜内仍用 54 伏液冷铜排。

行业报告称，2026—2027 年国内主流仍是 800 伏转 54 伏过渡；2028—2029 年可能转向 800 伏直进板载、降至 12 伏；2030 年后再看是否下探到 6 伏。

图6：砍得越深，转换越少，落地越难。三条路的比较出自全球计算联盟的社区研究报告，比的是 800 伏进服务器以后降到哪一档；下方列的各家方案只表示公开发布过，不代表已经量产。

所以，砍掉中间级目前主要出现在新发布的板级方案上；正在建设的机柜，海外和国内都还保留 50 伏一档。英伟达官方口径仍是 Kyber 随 Vera Rubin Ultra 于 2027 年下半年推出，但第三方机构认为旗舰 Kyber NVL144 可能因 PCB 中板工艺推迟到 2028 年。

纳微同时推 12 伏和 6 伏，也说明中间电压还没收敛。

5. 这块板子上的芯片，国产公司走到哪一步？

一句话概括：同类芯片在今天的服务器电源里大多已经批量，但明确写给 800 伏用的，多数还在导入、送样或研发阶段。

英伟达生态里的国产身影

英诺赛科和麦格米特都出现在英伟达 800 伏合作伙伴名单里。英诺赛科已和英伟达合作推动 800VDC 架构，但公司 2026 年 10 月表示仍处测试阶段，尚未产生实质性订单。麦格米特的 PDB 配电板已规划 800 伏转 50 伏、12 伏、6 伏三条路线，支持冷板液冷，但半年报中更多是产品介绍，未明确披露大规模出货。

图7：这块板子用到的几类芯片，国产公司披露的产品和进度（2026 年半年报原话，英诺赛科为中期报告）。带 800 伏标签的，是原文写明给 800 伏用的；图中只表示公司披露的产品和应用，不代表用在纳微或英伟达的板子上。

高压侧：650 伏氮化镓在放量，800 伏专用器件还在导入

•英诺赛科：在全球 20 多家头部云厂商，导入了 100 多项用于 800 伏高压直流的高压芯片；面向 AI 和数据中心的芯片，出货量同比增长 183%（这是总出货，不单是 800 伏产品）。

•宏微科技：650 伏的氮化镓芯片，“已通过AIDC 电源客户认证，目前产品已进入逐步放量阶段”（AIDC 指 AI 数据中心）。

•三安光电：650 伏和 100 伏的氮化镓单向开关器件，已进入 AI 服务器电源等系统的验证阶段。

•华润微：650 伏的氮化镓平台还在开发，产品向 AI 服务器电源领域推广。

跨隔离侧：驱动芯片已批量，800 伏辅源芯片还在研

•纳芯微：用在服务器电源上的高压氮化镓驱动芯片、中低压氮化镓合封产品，“均已批量发货”；给 800 伏 AI 服务器高压直流用的辅助电源芯片，还在“持续开发”。

•思瑞浦：推出了新一代隔离栅极驱动器，可用于服务器电源等场景。

低压侧：40 伏一档已量产，25 伏一档在验证

•新洁能：40 伏的第三代 SGT MOSFET（一种低压功率开关管），“已经全面进入量产阶段”，用到的行业里包括大功率数据中心；25 伏的第三代平台在做可靠性验证，目标市场是 AI 算力和大功率数据中心。公司还称，相关产品已导入算力服务器的电子保险丝（用芯片做的保险丝，出故障就断开）、液冷等细分应用，“并逐步实现销售”。

•华润微：40 伏的氮化镓平台，“在头部客户批量供货”（原文没写用在哪里）。

•东微半导：在服务器电源等领域“批量出货”。

按这种架构，被砍掉的 50 转 12 那一级，用的是 100 伏左右的中压管子，英诺赛科就有给 48 伏转 12 伏用的 100 伏中压芯片。这一级砍掉以后，托盘里少了一批中压管子；高压管子，则从机柜的电源架挪进了托盘。

板子之后：12 伏供电已量产，6 伏的还在送样

降到 12 伏，GPU 旁边那一级照旧：

•芯朋微：多相 VRM（多路降压电路一起分担大电流）、DrMOS（把驱动和硅开关管封在一起的功率级芯片）、电子保险丝等产品，“全面进入量产”。

•士兰微：服务器用的 DrMOS、电子保险丝、多相控制器，“都已在客户端测试或已导入量产”。士兰微的五位工程师，也在前面那份报告的参编名单里。

•杰华特：16 相数字控制器等新品，“已送样多个计算行业头部客户”。

降到 6 伏，就要换新一代芯片；英诺赛科的 6 伏 DrGaN，还在送样测试。

所以，国产公司在板子上几类关键位置都有对应产品：低压侧、隔离驱动侧已经跑得更快；真正贴着 800 伏高压用的那几颗芯片，还处在早期阶段。这和纳微这块板子目前只有目标值、没有实测和量产时间的状态是对得上的。

6. 业绩跟上了吗？

看完技术，再看账本。

图8：11 家公司今年上半年，营收 10 增 1 降；扣掉投资收益、政府补助这类一次性损益后，6 家盈利、4 家亏损，英诺赛科没有披露这一项（图中标的是净利润）。都是公司整体业绩，不是这块板子相关业务的业绩。

•营收：11 家里 10 家增长。三安光电营收下降 28%，是会计处理变化，扣除贵金属废料后，营收增长约 9%。

•利润：扣掉一次性损益后，华润微、士兰微、思瑞浦、新洁能、芯朋微、东微半导 6 家盈利，杰华特、三安光电、纳芯微、宏微科技 4 家亏损；英诺赛科没有披露这一项，净利润亏损 3.09 亿元。

•跑得最快的四家：思瑞浦、纳芯微、英诺赛科、杰华特，营收都涨了四成以上；扣掉一次性损益后还赚钱的，只有思瑞浦。

三季报还在陆续披露。截至 10 月 21 日，这 11 家里只有芯朋微发了：前三季度营收增长 14.7%，第三季度单季转为亏损。

这批公司，营收普遍在涨，利润还没全跟上。

7. 结语：中间那一级，什么时候真的没了？

现在：机柜里还是 50 伏，新板子先砍

英伟达在 2026 年 OCP 峰会上开放的第三代 MGX 机柜最高 250 千瓦，配的是 5,000 安液冷母排。台达给 Vera Rubin NVL72 这类机柜的方案，是柜外 800 伏、柜里用电源架降到 50 伏。国内，字节 2026 年 7 月发布的 AI Rack 3.0，单柜 500 千瓦、双柜 1 兆瓦，柜内也仍是 54 伏液冷铜排。

800 伏直降 12 伏、6 伏的板子，纳微这块还只有目标值，其他几家也多是参考设计和评估板。

往后：主板上只剩两级

等 800 伏直进托盘成为主流，行业报告给出的时间是 2028 年以后，主板上就只剩两级：800 伏到 12 伏或 6 伏，再到 1 伏以下。

中间那一级砍掉后，难题并没有消失，只是挪到了 800 伏那一侧：扛高压的氮化镓、跨隔离的驱动、出 2,000 安的低压管，以及整套安全控制。国产芯片公司写明面向 800 伏的新品，正在这一侧导入和送样。