三星基带芯片制程跃迁，HBM市场格局或迎重塑

【区角快讯】10月25日，快科技披露了一项关键产业动态：三星电子已正式调整其新一代外挂式5G基带芯片“M2800”的制造计划，将原定采用的4nm工艺升级至更为先进的2nm节点。这款预计与Exynos 2800处理器协同作战的核心组件，将被优先搭载于2028年问世的Galaxy S28系列智能手机中。此举不仅关乎终端产品的性能迭代，更深层地影响着上游产能分配——随着基带芯片生产向2nm转移，三星得以释放宝贵的4nm生产线资源，转而全力投入高带宽内存（HBM）所需基础控制电路芯片的生产。

这一战略转向背后，是瑞银模型所预测的市场版图剧变：三星HBM出货量市场份额预计将从2025年的20%攀升至今年的31%，并在2027年进一步突破至40%，从而首次超越SK海力士的39%，登顶全球榜首。支撑这一乐观预期的底气，源自三星在HBM4量产上的先发优势。早在2026年2月，三星便在全球率先启动HBM4量产，采用4nm逻辑基底芯片结合1c nm工艺DRAM，单引脚速率高达11.7Gbps，最高可提升至13Gbps，远超JEDEC标准8Gbps约46%。尽管初期良率不足60%，但目前已稳步提升至80%左右，提前达成年底既定目标，显示出其在高端存储领域的强劲竞争力。