重磅！国际半导体低温键合会议首次来华

大会由中国科学院微电子研究所、先进微系统集成协会、西安电子科技大学、中国电子学会、中国电子材料行业协会、青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司共同主办，由IEEE EPS北京分会、天津国家芯火双创平台、中国科学院微电子研究所-香港科技大学微电子联合实验室共同协办。西安电子科技大学郝跃教授、武汉大学刘胜教授、日本东京大学/明星大学须贺唯知教授和长江存储科技有限责任公司董事长陈南翔担任大会名誉主席。中国科学院微电子研究所刘新宇研究员、日本东京大学/明星大学须贺唯知教授、西安电子科技大学马晓华教授担任大会主席。

作为一个备受半导体行业瞩目的高端系列国际会议，低温键合3D集成技术研讨会自2007年起每三年举办一届，长期专注于推动半导体晶圆键合技术的国际交流与应用，吸引了来自全球超过20个国家的顶尖专家、业界人士和政策制定者参与，会议共计输出了超过300个议题，深入聚焦半导体晶圆键合技术的最新进展和前沿探索。经过多年发展已成为国际键合集成技术领域的权威会议。本届国际会议首次在中国举办，深入聚焦半导体晶圆键合技术的最新进展和前沿探索，致力于推动新质生产力发展，为中国及全球半导体行业的创新合作发展贡献新的力量。大会围绕表面活化键合及其扩展应用，混合键合与3D集成，新型低温键合工艺及材料，功率、射频、光电、微系统和显示器件，基本原理和表征，异质集成及相关材料等六大主题，通过主旨报告、大会报告、论文张贴、展览展示等多种形式进行学术分享和技术交流。

出席大会主要嘉宾

在本次大会上，日本东京大学/明星大学须贺唯知教授，武汉大学刘胜教授、西安电子科技大学马晓华教授、日本东北大学島津武仁教授，香港科技大学陈敬教授、英国布里斯托尔大学Martin Kuball教授、新加坡国立大学李正国教授、北方集成电路技术创新中心总经理康劲先生、武汉新芯总经理孙鹏先生等专家学者分享了11个主旨报告。主旨报告涉及表面活化键合的历史、现状与未来展望，宽禁带半导体器件与集成电路的最新进展，芯片的异质集成与封装制造进展类宏观及技术前沿趋势，原子扩散键合的键合机制与应用最新进展，翻转3D（F3D）先进键合技术实现3D集成技术，3D集成技术在边缘人工智能系统的应用，GaN与SiC融合实现的高性能功率器件，3D-IC 多晶圆混合键合工艺技术挑战，宽禁带和超宽禁带半导体电子学界面的重要性，用于异质集成、传感器及电子器件的低温键合技术，用于异质光子学集成和封装的表面激活室温键合技术等内容，既有技术路线总结和综述，又有新型技术的分享；既有原理和机制的探讨，又有器件和工艺的应用，在会场上掀起了一轮轮热议的高潮。

本次大会还分享了来自牛津大学、东京大学、东北大学、大阪公立大学、布里斯托尔大学、新加坡国立大学、中国科学院微电子研究所、西安电子科技大学、北京大学、清华大学、武汉大学、南京大学、哈尔滨工业大学、北京科技大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、天津电源研究所、上海交通大学、北京理工大学、西南交通大学、武汉新芯半导体制造有限公司、南京固体电子器件研究所、昂坤视觉(北京)科技有限公司、上海骄成超声波技术股份有限公司等的17个邀请报告和13个口头报告，涉及低温键合3D集成技术器件、材料、工艺、机理和表征分析等多项研究成果、最新进展和最新产品。会议累计分享了22张墙报论文，经过现场专家热烈评选，来自西安电子科技大学和哈尔滨工业大学的两项学术进展获得了最佳墙报。

本次大会共吸引青禾晶元等10余家产业链企业参展，业务覆盖金刚石材料、键合设备、超声清洗设备、检测仪器等关键环节。

大会不仅搭建了一个共同探讨半导体先进键合技术最新进展和未来趋势的国际交流平台，而且极大推动了学术界与产业界的深度合作，加速了低温键合技术在材料、工艺、设备和器件等领域的研发与应用。相信在不久的将来，在与会各界人士的共同努力下，在国际国内各界力量的共同推动下，低温键合3D集成技术必将在微电子领域掀起一场新革命。

可以预见，在AI算力爆发、先进封装、化合半导体第三波材料浪潮需求的三重驱动下，低温键合技术将成为延续摩尔定律的核心技术路径，催生新一代异质集成解决方案，为中国半导体产业向高端制造升级提供重要契机。

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