在美方持续收紧高端半导体出口管制的背景下，中国AI产业发展正面临核心存储器“卡脖子”难题。据韩媒及业内消息，为突破HBM（高带宽存储器）供应瓶颈，中国存储龙头企业**长鑫存储（CXMT）**已重启大规模扩产计划，正加速推进第四代HBM（HBM3）的研发与量产布局。
长鑫提速：HBM国产化进程全面加速
多位行业人士于8月14日透露，长鑫存储已于2024年第三季度启动设备采购，将在其安徽合肥生产基地建设新的量产线，重点扩充DDR5内存产能，并以此为基础推进HBM技术迭代。此举标志着其此前因美国出口管制风险而推迟的扩产计划已重新启动。
据估算，到2025年，长鑫的HBM月产能有望达到约5万片晶圆，约为当前全球龙头三星电子与SK海力士产能的20%至25%。尽管规模尚有差距，但这一进展被视为中国在高端存储领域实现自主可控的关键一步。
目前，长鑫已成功完成第一代HBM（HBM2）的开发，正全力攻坚HBM3的量产工艺。此前，该公司在全球DRAM市场的份额约为6%（2024年第一季度），主要集中在中低端DDR4/DDR5产品。
美国禁令加剧AI算力瓶颈
自2024年起，拜登政府将高端HBM纳入对华出口管制范围，禁止向中国出售用于AI训练的先进存储芯片。由于HBM是AI大模型训练中GPU算力系统的核心组件，其带宽直接决定并行计算效率，禁令已对中国AI企业的算力部署构成实质性制约。
以英伟达H100 GPU为例，其总物料成本约3000美元，其中6颗HBM芯片成本高达1500美元，占比过半。缺乏稳定HBM供应，不仅推高国产AI芯片成本，更可能削弱中国在AI技术竞争中的长期优势。
《南华早报》指出：“HBM短缺正成为制约中国AI技术竞争力的新瓶颈。” 近期，中方在中美贸易谈判中已明确提出，希望美方放宽对HBM等关键存储技术的出口限制。
全球HBM格局：三巨头扩产，技术迈向“内存即计算”
在全球市场，SK海力士、三星与美光正加速HBM产能布局：
- SK海力士
：计划将2025年底HBM月产能从6.5万片提升至15万片，巩固其在HBM3E市场的领先地位； - 三星电子
：预计2025年底HBM月产能也将达到15万片； - 美光
：目标2026年底实现9万片月产能。
技术层面，行业正从HBM3E向**HBM4及更高世代（HBM5-HBM8）**演进。未来HBM不再仅是“高速缓存”，而是向“内存即计算”（Memory-as-Compute）转型，与3D堆叠、异构集成、AI辅助设计、片上网络（NoC）和光互联等前沿技术深度融合，构建下一代高性能计算系统的“内存底座”。
国产替代任重道远，但已迈出关键一步
尽管长鑫在制程技术上仍落后于三星、SK海力士约一至两代（后者已采用1b纳米级DRAM工艺），但其重启扩产、聚焦HBM3的决心，表明中国正以举国之力突破高端存储封锁。
业内分析认为，若长鑫能在2025-2026年实现HBM3稳定量产，将为国产AI芯片（如华为昇腾、寒武纪、壁仞等）提供关键支撑，逐步构建“国产GPU + 国产HBM”的自主算力生态。
这场围绕“内存带宽”的科技博弈，正成为中美AI竞争的新战场。
