图片来源：SK 海力士SK 海力士正加大极紫外（EUV）光刻技术在下一代 DRAM 中的应用，将其即将推出的第六代 10 纳米级（1c）产品中的 EUV 层数增加到五层以上。该计划在韩国水原市举办的下一代光刻与图形学术会议上得以披露。为下一代DRAM 扩大 EUV 应用据韩国媒体ZDNet Korea 和 Genews 报道，SK 海力士技术负责人朴义相（Euisang Park）表示，扩大后的 EUV 应用将率先用于 1c DRAM，转换投资将于 2025 年下半年启动。该公司已基于 1c 工艺开发出 16Gb DDR5 DRAM，并正准备扩大生产规模。SK 海力士还计划将 EUV 技术应用于第七代 10 纳米级（1d）和 10 纳米以下的 0a 节点，同时通过多个开发项目提升产能。该公司还在推进高数值孔径（High-NA）EUV 工具的准备工作 —— 这类工具的数值孔径为 0.55，高于当前的 0.33，能够实现更精细的图案和更高的分辨率。SK 海力士计划最早于 2026 年引入 High-NA EUV，不过朴义相坦言，开发兼容的光掩模仍是关键挑战。High-NA 系统中变形成像所需的双掩模 “拼接” 工艺，目前仍面临对准和重叠难题。低功耗AI 内存取得突破在推进光刻技术的同时，SK 海力士在低功耗 DRAM 领域取得突破，宣布开发出 24Gb 1c LPDDR5X，其速度高达 10.7Gbps。这款芯片专为 LPCAMM 和 SoCAMM 等新兴的面向 AI 的模块格式设计 —— 这些格式兼具 LPDDR 的能效和传统 SO-DIMM 的模块化灵活性。LPCAMM 减小了封装尺寸，同时保持了可更换性；SoCAMM 则进一步增加了 I/O 数量，提升了带宽。这些下一代模块正受到全球科技巨头的关注，行业消息显示，英伟达可能在未来的AI PC 中采用这些模块。SK 海力士将这些产品视为应对服务器和 PC 领域对具备 AI 能力的高能效内存激增需求的关键，助力公司快速响应超大规模和企业客户的订单。*原文来源：DIGITIMES Asia*原文标题：SK Hynix expands EUV in 1c DRAM, launches faster low-power chips for AI PCs芯启未来，智创生态湾芯展2025与您相约！
