新闻一：长期谈判后，消息称三星电子与英伟达终谈妥 HBM3E 12Hi 内存供应交易

8 月 15 日消息，韩媒 alphabiz 当地时间 12 日报道称，英伟达与三星电子最终就 HBM3E 12Hi（IT之家注：12 层堆叠 HBM3E）内存供应交易达成一致，英伟达近期将分阶段从三星电子处接收 3 万~5 万件 HBM3E 堆栈，这些内存将全数应用于液冷 AI 服务器。

由于初期的发热、良率等问题，三星电子此前迟迟未能满足英伟达对 HBM3E 12Hi 的要求，将这一市场拱手让给了 SK 海力士和美光，甚至因此丢掉了今年二季度全球第一大存储企业的地位。

考虑到 AMD 在 MI350 系列显卡加速器中同时使用了美光和三星的 HBM3E 12Hi 内存，这意味着三星 HBM3E 12Hi 表现显著改进，为与英伟达达成正式交易打下了基础。

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新闻二：三星HBM4初步通过英伟达测试，并在HBM3E提供大幅度折扣

据Sedaily报道，有业内人士透露，三星在上个月向英伟达提供了HBM4样品，目前已经通过了初步的质量测试，将于本月底进入预生产阶段。如果能通过英伟达最后的验证步骤，最早可能在11月或12月开始实现大规模生产，对三星来说现在已进入关键阶段。

HBM4计划用于英伟达下一代Rubin架构GPU构建的AI加速器，SK海力士早在今年3月便交付了样品，6月完成了首批出货，计划10月开始量产。如果三星可以按计划完成验证，那么可以最大程度地缩小与SK海力士之间在HBM4上面的差距。

除了在HBM4努力外，三星还在HBM3E上提供了非常具有吸引力的报价，传闻向英伟达提供了比SK海力士低20%至30%的报价。英伟达选择在与SK海力士最终确定定价协议前，首先对三星的HBM3E和HBM4进行质量测试。考虑到过去几年三星在DRAM市场的份额流失速度之快，让三星不得不通过激进定价策略来提升市场竞争力。

有点令人感到意外的是，美光成为三大原厂中首个2026年HBM产能售罄的存储器制造商。其实美光在6月已经向英伟达出货了HBM4，是仅次于SK海力士达到HBM4样品阶段的厂商。

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新闻三：三星重启Z-NAND技术，目标性能是传统SSD的15倍，将针对AI场景优化

2015年，由英特尔和美光（Micron）共同研发的3D XPoint技术横空出世，称为革命性的存储技术。为了对抗傲腾产品，当时存储市场的霸主三星在2017年也带来了Z-NAND技术，技术第四代V-NAND闪存打造了Z-SSD系列SSD，性能强于NAND闪存，比起DRAM又多出了非易失性的特点。不过与3D XPoint技术一样，因市场需求不足，三星并没有推出后续产品。

据TomsHardware报道，在本周举行的FMS 2025上，三星宣布将重新启动Z-NAND技术的开发工作，目标性能是现有NAND闪存的15倍，同时功耗最多降低80%。相比于早期Z-SSD系列产品高出当时传统SSD大概6到10倍的性能，显然这次三星的野心更大。

三星表示，新一代Z-NAND技术主要针对人工智能（AI）应用场景，将重点放在AI GPU优化上，创建一项允许GPU直接访问Z-NAND存储设备的新技术（类似于微软的DirectStorage API），名为“GIDS（GPU-Initiated Direct Storage Access）”，以绕过CPU和DRAM，以最大限度地减少访问时间并降低延迟。

不同于3D XPoint技术采用了全新的架构，最初的Z-NAND技术是经过优化加速的SLC NAND SSD，一方面改良了运行模式，另一方面将页大小缩小至2–4KB（普通SSD为8–16KB），从而以更小的数据块读写，提升了速度，降低了延迟。

目前PCIe 6.0 SSD已经出现，传统SSD也变得越来越快，新一代Z-NAND技术是否能达到设定的性能目标将是大家关注的焦点。随着人工智能热潮持续，如果三星能够提供令人满意的Z-NAND产品，相信在寻找客户方面不会有太大的困难。

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