按照既定路线，新竹2 nm晶圆厂将在今年底率先点亮全球首批2 nm芯片；随后，高雄厂接力投产。当前，台积电在美国亚利桑那州建设的第三座晶圆厂也计划生产2nm晶圆。
从 3nm 妥协到 2nm"清零"
此次调整的直接诱因是美国参议员马克・凯利牵头提出的《芯片装备法案》。该法案拟禁止接受美国联邦资金或税收优惠的企业，从 "受关注外国实体" 采购设备，而业内普遍认为这一范围涵盖中国大陆半导体设备商。尽管台积电尚未明确回应具体设备供应商，但知情人士透露，其 3nm 产线中曾使用中微公司的蚀刻设备，以及屹唐半导体旗下 Mattson Technology 的干法去胶、快速热处理设备，这些设备将在 2nm 产线中被彻底替代。
事实上，台积电早在一年前就计划在 3nm 制程中剔除大陆设备，以配合该技术向美国亚利桑那工厂的转移。但更换已通过验证的设备供应商需耗费大量时间调试，且可能影响良率与生产稳定性，最终公司选择在更先进的 2nm 节点推进这一计划。台积电董事长魏哲家此前曾表示，亚利桑那工厂扩建完成后，美国将承担其 2nm 及更先进制程约 30% 的产能，这使得符合美国监管要求成为供应链布局的首要考量。
国产厂商受到冲击
此次调整对两家大陆头部设备商冲击显著：中微公司的蚀刻设备已进入台积电 3nm 产线，其技术实力获国际认可；屹唐半导体 2016 年收购的 Mattson Technology，在干法工艺领域积累深厚，其设备亦是台积电先进制程的 "熟面孔"。值得关注的是，屹唐半导体近期还因核心技术被窃取，对美国应用材料提起索赔 9999 万元的诉讼，此次又遭台积电 "断单"，面临双重挑战。
尽管短期承压，但大陆设备商的整体进步不容忽视。北方华创已跻身全球第六大半导体设备制造商，在蚀刻、薄膜沉积等领域实现突破，仅光刻设备仍依赖荷兰 ASML。美国前政府高级官员、半导体专家梅根·哈里斯（Meghan Harris）坦言：“美国必须开始采取措施，防止中国大陆的设备制造商进入……。这种（风险）比美国认识到的更近：某些（中国大陆）设备确实接近变得具有竞争力。”
剔除大陆设备只是台积电供应链调整的一环。根据其最新 "永续报告书"，2024 年台湾地区间接原物料采购比例已达 65%，超额完成目标；海外工厂本地化采购比例也达 64.6%。公司计划到 2030 年将台湾地区本地化采购比例提升至 68%，全球比例提升至 67.5%。
台系供应链“全面接管”2 nm
在 2nm 产线中，台系厂商已开始全面接管关键材料供应：台特化的硅丙烷将应用于纳米片制程，新应材的表面改质剂、底部抗反射层等光刻材料也已就位，逐步替代此前依赖的日本供应商。与此同时，台积电正全面排查制造用化学品、特殊气体等，减少台湾和美国工厂对大陆材料的依赖。
有趣的是，其在大陆的生产业务却采取相反策略 —— 计划与本地供应商加强合作，增加本地采购比例。这种 "全球去大陆化" 与 "大陆本地化" 的双重路径，折射出台积电在复杂地缘环境下的生存法则。
台积电在回应中强调，其全球采购策略 "专注于健全的风险管理与供应链多元化"。但显而易见的是，这场围绕 2nm 制程的供应链重构，不仅是企业对监管风险的预防性应对，更预示着全球半导体产业格局正在地缘博弈中发生深刻变化。
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