韩国科学技术研究院（KAIST）金正浩教授预测：“从HBM7（第九代高带宽存储器）开始，NAND闪存将被集成到HBM堆栈中，这将为三星电子和SK海力士创造新的机遇。”
金正浩在9月3日于仁川松岛国际会展中心开幕的“KPCA Show 2025”主题演讲中，以“人工智能时代HBM的未来”为主题发表了这一预测。他表示：“随着人工智能的发展，目前数万亿的参数未来将增加到1000万亿。”
他预测：“10年内，像OpenAI和谷歌这样的人工智能服务提供商将达到极高的生产力水平，能够在一分钟内制作一部时长为一小时的电影。” 他补充道：“这将需要计算能力、内存容量和功耗提高1000倍。”
由于AI学习需要快速存储和检索海量数据的能力，内存预计将在提升AI性能方面发挥关键作用。金正浩强调：“未来的AI将不再以CPU（中央处理器）或GPU（图形处理器）为中心，而是将围绕HBM（高带宽存储器）进行联网。”
他预测，将类似DRAM的NAND闪存堆叠在HBM内部的“HBF”（高带宽存储器）将成为未来内存市场的主流。金正浩表示：“目前，HBM与DDR（双倍数据速率）DRAM堆叠，但从HBM4开始，它将与LP（低功耗）DDR堆叠。” 他还预测：“未来，NAND闪存也将像HBM一样进行堆叠。”
随着“HBF”逐渐成为主流的市场格局转变，三星电子和SK海力士有望抓住新的机遇。金正浩指出：“三星电子和SK海力士是目前仅有的两家同时生产NAND闪存、DDR和HBM的公司。” 他补充道：“美光公司也生产NAND闪存，但其财务实力相对较弱。”
在DRAM市场，美光公司与三星电子和SK海力士并列为“三大巨头”。然而，在NAND市场，截至今年第二季度（根据TrendForce的数据），三星电子（32.9%）、SK海力士（包括Solidium）（21.1%）和日本铠侠（13.5%）占据榜首。美光的NAND市场份额为13.3%。
目前三星电子和SK海力士在HBM（高容量存储器）方面的竞争力差距，主要源于各自的TSV（硅通孔）技术。他分析道：“（HBM）技术建议先安装TSV，然后再用存储单元填充剩余空间。这在传统存储器中是不可想象的，因为传统存储器是先设计存储单元，然后再在空白处安装TSV。我认为这种差异导致了两家公司竞争力的差异。”
金正浩认为是HBM核心技术——3D硅堆叠技术的先驱。早在21世纪初，芯片堆叠技术尚未引起人们的重视，他就致力于硅通孔（TSV）的研究。2013年，他与SK海力士合作，在全球首次成功实现了高带宽存储器（HBM）的商业化。他因在基础技术的提出和研究方面做出的开创性贡献，被国内外誉为“HBM之父”。
HBM的开发过程根据堆叠复杂度分为几个阶段：第一代HBM（2013年）、第二代HBM2（2016年）、第三代HBM2E（2020年）、第四代HBM3（2022年）和第五代HBM3E（2024年）。目前市场领先的是第五代HBM3，第六代HBM4计划于明年量产
金正浩预测，HBM 技术将每三年进行一次换代，预计 HBM5 将于 2029 年发布，HBM6 将于 2032 年发布，HBM7 将于 2035 年发布，HBM8 将于 2038 年发布。
