新闻一：DRAM厂商在HBM基础裸片上出现分歧美光推迟至HBM4E才转换到台积电

AMD和英伟达都将在2026年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM，均为基于HBM4的设计，以提升性能，降低延迟。前一段时间有传言称，英伟达已开始开发自己的HBM基础裸片（Base Die），以适应未来的发展趋势，这很可能重塑HBM的格局。预计英伟达的自研HBM基础裸片采用台积电（TSMC）的3nm工艺制造，计划在2027年下半年进行小批量试产。

据TrendForce报道，随着英伟达自研HBM基础裸片的到来，加上HBM定制设计会带来更大的差异化，大家对DRAM厂商在基础裸片上的动向变得更为关心。过去基础裸片都是使用DRAM工艺制造，因此DRAM厂商都是自己完成设计和生产。不过DRAM工艺在速度、信号完整性和能效上都落后于代工厂的技术，随着新一代HBM的性能要求变得更高，促使DRAN厂商进行转换。

三星和SK海力士都计划在HBM4时代开始，将基础裸片的生产转移到代工厂，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。其中SK海力士最为积极，很早就宣布与台积电合作，双方共同开发HBM产品。相比之下，美光的态度更为谨慎，出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，打算推迟到HBM4E才转换到台积电负责生产，不过这么做有可能让其失去竞争优势。

将基础裸片转换到代工厂将对HBM产品带来成本压力，特别是不得不依赖台积电的SK海力士和美光，先进制程节点的高成本可能让其HBM产品的定价高于三星。三星本身就有代工厂，预计会从内部生产中获得潜在的成本优势。有业内人士透露，台积电生产的基础裸片约占SK海力士HBM4总生产成本的20%。

原文链接：https://www.expreview.com/101476.html

新闻二：三星和SK海力士改变计划，将DDR4生产延长到2026年

过去数月里，各大存储器生产商开始减少DDR4的出货量，大家都将产能转向DDR5/LPDDR5/HBM等新一代DRAM产品，成为了广泛的行业趋势。不过市场对DDR4的需求仍然很高，从而引发了一波囤积潮，造成了供应短缺，价格暴涨，从低于DDR5一度变成DDR5的两倍多。这也让部分存储器生产商开始改变计划，选择扩大DDR4生产，或者推迟DDR4停产，以便更好地抓住市场机会。

据TrendForce报道，考虑到DDR4强劲需求及价格坚挺，曾经计划2025年末至2026年初逐步停产的三星和SK海力士改变了想法，决定将DDR4的生产延续到2026年。其中SK海力士已经正式通知了客户，其位于无锡的工厂将提高DDR4的产量。

三大原厂中，仅剩下美光坚持最初的计划。美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana在6月接受媒体采访时确认，美光已经向客户发送了通知，告知旗下DDR4和LPDDR4将进入EOL（End of Life）阶段。美光的出货不会持续太久，预计未来2到3个月内结束。

有分析师表示，DDR4与DDR5之间价格倒挂的情况不会持续太久，以前DDR2和DDR3迭代的时候也出现过类似的情况，持续的时间大概四个月。由于三星的市场占比较大，被认为是DDR4价格上涨的主要受益者。SK海力士认为DDR4最近的价格飙升是“供应担忧推动的短期需求激增”，随着产量提升也将受益。

原文链接：https://www.expreview.com/101510.html

新闻三：SK海力士首次在业界引入“High-K EMC”材料，用于高效散热移动DRAM产品

SK海力士宣布，已开发完成并开始向客户供应业界首款采用“High-K EMC”材料的高效散热移动DRAM产品。

随着端侧AI（On-Device AI）运行过程中高速数据处理所导致的发热问题日益严重，已成为智能手机性能下降的主要原因。SK海力士称，这次提供的新产品有效解决了高性能旗舰手机的发热问题，获得了全球客户的高度评价。

目前最新的旗舰手机多采用PoP（Package on Package）结构，即将DRAM垂直堆叠在移动处理器上面。这么做虽然能够高效利用有限空间并提升数据处理速度，但也导致移动处理器产生的热量积聚在DRAM内部，从而影响整机性能。

为此SK海力士在传统EMC中使用的二氧化硅（Silica）基础上，混合了氧化铝（Alumina），从而开发出名为“High-K EMC”的新材料。与传统材料相比，新材料的热导率是其3.5倍，而且将热量垂直传导路径的热阻降低了47%。散热性能的提升有助于改善智能手机整机性能，同时通过降低功耗，可延长电池续航时间并提高产品寿命。

SK海力士相关负责人表示，未来将继续以材料技术创新为基础，牢固确立在新一代移动DRAM市场中的技术领导地位。

原文链接：https://www.expreview.com/101446.html