汇集半导体行业资讯 技术前沿、发展趋势！
近日，位于中关村顺义园的第三代半导体领军企业北京国联万众半导体科技有限公司取得重大突破，成功实现8英寸碳化硅（SiC）芯片晶圆工艺线通线。这一技术进展标志着我国在第三代半导体领域迈出关键一步，为国产半导体产业链升级注入新动力。
相较于传统6英寸晶圆，8英寸碳化硅晶圆在生产效率和成本控制上优势明显，既能提高单位时间芯片产量，又能降低单位成本，提升产品市场竞争力，助力国联万众在半导体市场占据有利地位。
碳化硅晶圆8英寸与6英寸对比图
目前，该8英寸碳化硅芯片晶圆工艺产线已进入产品优化及技术指标提升阶段，全面投产后有望大幅提升产能与良率。新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等领域对半导体芯片需求旺盛，国联万众产线升级将有力满足这些领域需求，为相关产业发展提供芯片支持。
财务数据方面，国联万众表现出强劲增长态势，2025年上半年碳化硅营收达2.95亿元，净利润约1.06亿元，反映出其良好的市场表现、产品认可度与盈利能力，为公司进一步发展奠定基础。
技术实力上，国联万众同样出色，是国内5G基站氮化镓射频功放芯片主力供应商，碳化硅电力电子芯片技术达国际同步水平，部分产品性能全球领先，具备独特竞争优势，能吸引更多客户与合作伙伴。
随着8英寸产线产能逐步释放，国联万众有望在国内外市场取得更大突破，凭借技术和产能优势，在国产替代趋势下加速国产半导体产品替代进口产品进程，为我国半导体产业自主可控发展贡献力量。
*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，侵权欢迎联系我们删除！
▎往期推荐