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9 月 11 日，全球半导体制造领军企业台积电（TSMC）正式对外宣布重大战略决策：未来两年内，将逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务，同时关闭位于中国台湾新竹科学园区的 6 英寸 Fab 2 晶圆厂。不仅如此，台积电还计划整合新竹的三座 8 英寸晶圆厂——Fab 3、Fab 5 与 Fab 8，并将最多 30%的相关员工重新调配至南部科学园区（STSP）及高雄工厂。这一系列举措，是台积电在成熟制程与先进技术研发之间进行的一场深度战略重构。
据半导体设备制造商透露，台积电为老旧晶圆厂制定了清晰且极具前瞻性的转型路径。
对于 6 英寸 Fab 2 晶圆厂，在停止 GaN 等功率器件生产后，将进行大规模改建，摇身一变成为 CoPoS（Chip-on-Polymer Substrate）面板级封装工厂。这一转变，旨在精准对接 AI 芯片、HPC（高性能计算）领域对先进封装的迫切需求，为这些前沿科技产品提供强有力的封装支持。
新竹三座 8 英寸晶圆厂里，Fab 3 是技术攻坚核心。台积电将在此开展 EUV 掩模保护膜的内部研发与试产。EUV 光刻是 7nm 以下先进制程核心技术，但 ASML 的 EUV 光刻机价格高昂，且因缺稳定高透光率保护膜，多数厂“无膜”运行，影响良率效率。台积电将 EUV 保护膜视为关键突破口，此次自研自产有望打破垄断、巩固 2nm 及以下制程优势。
台积电退出 GaN 代工业务并非一时之举，而是早有端倪。早在 2025 年 7 月，美国氮化镓芯片厂商纳微半导体（Navitas）向美国证券交易委员会（SEC）提交文件并发布公告，明确指出其目前唯一的 GaN 晶圆供应商——台积电，计划于 2027 年 7 月停止相关产品生产。
回顾过往，2020 年台积电与意法半导体等合作推进 GaN 制程开发，2023 年占全球 GaN 晶圆代工约 40%份额。但近年来中国大陆厂商布局 8 英寸 GaN 产线，价格竞争致台积电 GaN 代工利润压缩，其产线产能低、营收有限，难匹配成本与战略优先级。与之相反，聚焦先进制程等领域能发挥其优势。2025 年初台积电启动旧厂精简计划，出售设备推动产能整合，为新战略布局腾空间。
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