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随着芯片算力与功耗的持续攀升，系统工作电流显著增大，对供电稳定性和噪声抑制提出了更高要求。在这一背景下，电容密度的优化已成为提升系统性能与可靠性的关键技术路径。

村田制作所（以下简称“村田”）作为全球领先的电子元件制造商，凭借其在多层陶瓷电容器（MLCC）领域的卓越技术积累与市场优势，占据了全球MLCC市场较高的份额，尤其在高端应用领域占据主导地位。然而，村田的产品布局并未止步于MLCC，其技术延伸与创新体系覆盖了从基础元件到系统解决方案的广泛领域。

第26届中国国际光电博览会上，村田展出了多款小型化、高性能的适用于光电应用的产品，包括电源模块、热敏电阻、多层陶瓷电容器产品等，并同步呈现了超宽频硅电容完整产品阵列等产品。

积极布局AI领域

随着AI技术的加速发展和广泛应用，村田正积极应对市场变化，通过技术创新和战略布局，在AI领域占据了一席之地。

村田在AI领域有着清晰的战略布局和重点应用方向。其战略逻辑清晰而坚定：让每一颗电容、电感、传感器、模块，都成为AI系统里“看不见却离不开”的效能倍增器。

在成熟应用方面，以MLCC为首的村田产品用量将在服务器、交换机、AI PC中得到显著提升，村田始终十分关注这些应用领域的技术趋势和市场需求，包括芯片迭代和TLVR技术对村田产品的影响，以稳固并提升市场份额。

在成长应用方面，“加速板卡”这一应用正从“服务器”中单独剥离出来，随着AI相关需求的日益增长，村田需要把握其价值链和技术趋势，以最大化业务机会，包括新产品潜在机会。

值得注意的是，今年7月村田首款0402英寸/47µF产品发布，约1.0mm x 0.5mm的小型化封装，在电路板空间寸土寸金的今天至关重要。其突破性在于，首次在0402这个小尺寸上，实现了47 µF的最大容值，并且该产品的额定工作温度范围为-55C到105C。相较以往产品，实装面积减少约60%，容值提升约2.1倍。这有助于在有限的物理空间内，为功耗越来越高、计算越来越密集的AI芯片提供稳定、纯净、可靠的供电系统。

先进的硅电容技术

除了MLCC之外，村田此次还带来超宽频硅电容产品矩阵，产品包括适用于信号线交流耦合的表贴电容，最高带宽可支持到220GHz，也有可用于TOSA/ROSA偏置线的直流去耦打线电容及集成RC的定制硅基板。村田的硅电容产品具备在温度、电压和老化条件下的高容值稳定性，高容值密度及高集成化技术，可以实现更薄的设计和更灵活的贴装方式，同时保持高性能，有效帮助光模块在进一步节省空间的同时实现稳定的高速传输。

村田高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发，并使用3D结构来大幅增加电极表面，因此在给定的占位面积内增加了静电容量。村田的硅技术以嵌入非结晶基板的单片结构为基础。

村田在技术创新方面不断突破，其3D硅电容就是一项重要的技术成果。3D硅电容具有诸多优异特性，如在-250°C至250°C的温度范围内具有高稳定性、宽频特性高达220GHz、可用在1200V的高压应用中、使用寿命至少10年、厚度极低小于50μm等。这些特性使得3D硅电容器在高性能电子设备中具有广泛的应用前景，为AI设备的高性能运行提供了有力支持。

村田在AI浪潮中，凭借对市场环境的精准洞察、明确的应用战略、持续的技术创新和丰富的产品体系，正稳步前行。