AE531 采用了 DRAM-less HMB 方案和静态 SLC 缓存策略，可提供至高 6800MB/s 和 5600MB/s 的顺序读写、至高 700K IOPS 和 800K IOPS 的随机读写，而 QLC 的顺序直写也至少有 115MB/s 的“保底”速率。
忆联表示 AE531 搭载其内置硬件加速模块的新一代主控，针对轻量化负载与复杂混合读写场景进行优化，改善消费级场景中常见的 QD1 低队列深度场景延迟表现，采用页交错块 RAID 算法，并具备自适应资源管理，整体性能在基准测试中优于国内主流友商同级别产品。
