来源：SK Hynix
SK Hynix宣布，它是世界上第一个为第六代高带宽内存（HBM4）建立大规模生产系统的公司，标志着下一代内存芯片新技术军备竞赛的开始。
据报道，其国内主要竞争对手三星电子也已完成HBM4的内部开发，并准备投产。两家公司都向Nvidia发送了样品，Nvidia计划在计划于2026年发布的下一代Rubin AI加速器中使用HBM4。
随着HBM4的生产时间表越来越近，韩国媒体强调了三个主要关注领域：SK Hynix和三星的不同战略、新设备供应商的崛起以及中国竞争另人震惊的追赶速度。
三星的“创新”与SK海力士的“稳定性”
人工智能数据中心日益增长的性能需求正在将内存设计和制造推向更复杂的领域。行业猜测表明，HBM4将需要全新的混合粘接技术。然而，SK Hynix采取了更保守的道路，而是选择其经过验证的MR-MUF技术的增强版。
MR-MUF通过在层之间注入和固化液体保护材料，改善散热并最大限度地减少DRAM堆叠过程中的翘曲，这是SK Hynix提高HBM性能方法的核心部分。
SK Hynix的HBM4使用在10nm节点制造的1b DRAM（第五代）制造，而基础模具由台积电使用12nm工艺制造。
相比之下，三星采取了更积极的方法。它正在一个更先进的节点上使用1c DRAM（第六代），并使用其4纳米铸造工艺在内部制造基础模具，此举可能导致性能提升，但也带来了更多的风险和复杂性。
简而言之，现在是HBM市场领导者的SK Hynix正在加倍可靠性和可扩展性，而挑战者三星则押注于技术差异化来重新获得地位。
装备竞赛：新竞争对手出现
战略分歧超出了芯片制造商的范围，延伸到了设备供应商。HBM粘接设备的顶级参与者韩美半导体最近在SEMICON Taiwan 2025上展示了升级的热压缩粘接机（TC Bonder）。然而，预计其混合粘接系统要到2027年底才会有。
相比之下，新兴的韩华半导体公司声称，它最早将在2026年推出自己的混合债券系统，如果满足这一时间表，可能会破坏当前的市场动态。
中国加速追赶
虽然“HBM三大公司”——SK Hynix、三星和Micron——占据了全球头条，但中国在该领域的快速发展正在引起越来越多的关注。
据韩国业内人士称，中国内存制造商长鑫存储现在被认为是对SK Hynix的HBM材料、组件和供应链最熟悉的公司。
在江苏举行的第13届半导体设备、核心组件和材料展览会（CSEAC 2025）上，参展商不仅展示了3D DRAM概念，还展示了用于HBM包装的实际热粘接设备——这是中国雄心的明确信号。
行业估计表明，中国与韩国在先进DRAM技术方面的差距可能已经缩小到两到三年。
防守与进攻：SK Hynix和三星交换角色
SK Hynix曾经被视为弱者，近年来在DRAM市场份额上超过了三星——这主要是由于其在HBM中的主导地位。该公司现在发现自己处于“防御”位置，保持领先地位，而三星则积极追赶。
2025年上半年，SK Hynix的收入接近10.9万亿韩元（约79亿美元）仅从Nvidia的销售额中，约占其总收入的27%。这一成功使Nvidia的HBM4供应链成为内存行业最令人垂涎的合作。
Micron跟随SK海力士在2025年6月左右向客户运送HBM4样品，而三星在7月下旬的第二季度财报电话会议上证实，它也已向客户提交了HBM4样品进行验证。
战线已经划定：SK海力士正在推动可靠性和规模，三星正在投资创新，中国企业正在迅速接近——所有这些都在争夺人工智能驱动的记忆未来。
原文标题：
Samsung and SK Hynix set stage for global battle over HBM4 chips
原文链接：digitimes asia
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