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6月30日消息，近日某知名科技媒体爆出震撼性消息：中国自主研发的EUV光刻机，已经取得了实质性突破！更引人瞩目的是，中国技术团队选择了一条与荷兰ASML截然不同的技术路径——激光诱导放电等离子体（LDP）。
ASML路线（LPP）： 依赖昂贵复杂的高能激光器轰击锡滴产生等离子体，其控制系统基于极其精密的FPGA（现场可编程门阵列），如同一个需要顶级交响乐团指挥的精密乐章。
中国路线（LDP）： 核心在于让电极间的锡材料汽化，再通过高压放电将其转化为等离子态。电子与离子激烈碰撞，最终激发出那至关重要的13.5纳米极紫外光。这更像一场精准控制的定向爆破。
技术路线差异带来多重优势。 根据曝光的试产报告，采用LDP技术的原型机，展现出令人振奋的特点：设计更简洁、结构更紧凑、能耗显著降低、制造成本优势明显。 这不仅是一次技术突围，更是一次对传统高成本、高能耗模式的颠覆性创新。
关键时间节点敲定：2025年第三季度，也就是说，中国EUV光刻机即将登场？这是外媒报道中提及的国产EUV光刻机进入试产阶段的重大时刻。一旦如期启动，无疑将宣告中国在半导体制造最尖端领域拥有了真正的自主力量。
长期以来，受限于EUV设备的缺失，中企在制造7纳米及以下节点的顶级芯片时，被迫采用复杂且昂贵的“多重曝光”技术。这如同用毛笔反复描绘本该一笔完成的超细线条，导致成本飙升、良率下降、效率低下。有分析估算，若沿用旧技术生产5纳米芯片，其成本将比国际领先水平高出惊人的50%。这直接制约了国产高端芯片的竞争力。
国产EUV光刻机的落地，将是打破这一魔咒的根本钥匙。它意味着下一代手机处理器、人工智能芯片、高性能计算核心将有可能在国内生产线直接诞生。
来源：国芯网
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