AMD 最新聚焦 DRAM 的专利实现了内存带宽翻倍，其核心并非依赖更快的 DRAM 硅片，而是通过改变模块级逻辑设计达成。
AMD 专利突破：无需升级 DRAM 硅片即可翻倍内存带宽
硬件层面的升级往往存在局限性，因其不可避免伴随架构迭代或逻辑 / 半导体利用率重构的 “额外成本”。然而，AMD 的最新专利展示了一种更直接的技术路径，成功将 DDR5 内存带宽输出翻倍，该技术被其命名为 “高带宽 DIMM”（HB-DIMM）。这项专利并未单纯聚焦 DRAM 工艺升级，而是通过集成寄存器 / 时钟驱动器（RCD）和数据缓冲芯片来提升内存带宽，本质上是针对 DIMM 模块的架构革新。
技术实现细节解析
专利显示，HB-DIMM 技术的核心并非优化 DRAM 本身 —— 通过简单的时序重调和多路复用，内存带宽从每引脚 6.4 Gb/s 提升至 12.8 Gb/s，实现输出翻倍。具体而言，AMD 借助 RCD 整合板载数据缓冲器，将两路标准速率的 DRAM 数据流合并为一路高速数据流传输至处理器，从而在分配给主机系统时使带宽翻倍。
应用场景与拓展可能
该方案主要面向 AI 等带宽敏感型工作负载，同时专利中还提及一项与 APU/iGPU 相关的有趣设计：采用双物理层（PHY）架构 —— 标准 DDR5 PHY 与新增的 HB-DIMM PHY。其中，较大的内存池由 DDR5 提供，而较小的部分则通过 HB-DIMM 技术实现数据高速传输。
对于 APU 而言，这种设计在设备端 AI 场景中优势显著：当系统处理需要海量数据流的 AI 任务时，可优先保障更快的响应速度。随着边缘 AI 在传统系统中重要性与日俱增，该方案将为 AMD 带来显著竞争力。值得注意的是，这一方案的潜在缺点是高内存带宽可能导致功耗上升，因此需要配套高效的散热机制。
技术积累与行业定位
作为内存领域的领军企业之一，AMD 与 SK 海力士合作研发 HBM（高带宽内存）的经历已彰显其技术积淀。HB-DIMM 方案的突破性在于，它无需依赖 DRAM 硅片工艺进步，即可实现内存带宽的翻倍提升，这一思路为未来内存技术发展提供了新的可能性。
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