以求“内存超级周期”中占据先发位置。
全球半导体产业竞争正聚焦于核心制造技术的突破，三星电子近期宣布加大对极紫外线（EUV）光刻技术的投资力度，计划为内存业务新增5个EUV系统、为代工部门添购2个高数值孔径（高NA）EUV工具。此举不仅是三星针对DRAM与高带宽内存（HBM）下一代产能扩张的关键布局，更使其在行业预期的“内存超级周期”中占据先发位置。
据报道，三星此次投资的核心方向之一，是为内存业务部署5个全新EUV系统，并搭建专用生产线。这一调整解决了此前三星平泽工厂“内存与代工产线共享EUV工具”的问题——新计划明确内存部门将独家使用这5个EUV系统，通过设备专属化实现生产流程的聚焦，进一步提升内存制造的效率与良率稳定性。
从技术应用来看，这5个EUV系统将同时支撑传统DRAM与尖端HBM的生产。在人工智能产业驱动下，HBM作为AI芯片的核心配套组件，已成为半导体“军备竞赛”的关键领域，而传统DRAM也面临数据中心、消费电子等市场的增量需求。三星通过专属EUV产线的搭建，可更灵活地应对两类内存产品的产能调配，为后续市场需求爆发做好准备。
高NA EUV瞄准2纳米工艺
与内存业务同步，三星为代工部门新增的2个高NA EUV工具，将重点服务于2纳米芯片制造工艺。据业内人士透露，这两台高NA EUV设备（ASML最新款Twinscan EXE:5200B）的部署已初步确定方向：一台将落地韩国华城校区，另一台的最终去向则取决于北美主要客户的新订单情况，不排除落户美国德克萨斯州泰勒工厂的可能。
从时间线来看，这两台高NA EUV设备的交付节奏已明确——据《中央日报》报道，三星此次投资约1.1万亿韩元收购该设备，首台预计2025年底到位，第二台将于2026年初交付。值得注意的是，这是三星在华城校区完成高NA EUV有限研发部署后，首次将该技术应用于规模化量产，标志着其代工业务在先进工艺上的推进进入实质阶段。
成本与竞争的双重考量
此次EUV投资的资金规模相当可观。根据行业公开数据，一台标准EUV工具的成本约为3000亿韩元（折合2.12亿美元），而高NA EUV设备因技术更先进，单价高达5500亿韩元。以此计算，三星此次为5个标准EUV系统（内存业务）与2个高NA EUV工具（代工业务）的总支出约为2.6万亿韩元，其对先进制造技术的投入力度可见一斑。
三星的激进投资，与行业竞争格局密切相关。目前，全球内存巨头SK海力士已明确计划在2026年前提升EUV产能与DRAM产量，作为直接竞争对手，三星需通过同步加码保持市场竞争力。此外，行业普遍预期“内存超级周期”即将到来——随着AI、数据中心、新能源汽车等领域的需求增长，内存芯片的供需关系将逐步转向紧平衡，此时加大产能与技术投入，成为三星抢占周期红利的关键策略。
从三星的产品规划来看，高NA EUV技术将成为其跨业务线创新的核心支撑。在代工业务端，该技术将用于2纳米节点量产，有望帮助三星承接高端芯片代工订单——业内传闻，特斯拉价值22万亿韩元的AI6半导体项目可能成为其潜在合作对象；在内存业务端，高NA EUV将支撑垂直通道晶体管（VCT）DRAM与第六代HBM4的研发，目前三星HBM4的数据速率已达到11 Gbps，与SK海力士的技术差距持续缩小。
此外，三星在10月14日圣何塞半导体会议上还公布了下一代HBM4E的计划，目标将每引脚数据速率提升至13 Gbps。从HBM4到HBM4E的路线图推进，再到高NA EUV技术的落地，其正通过技术协同构建内存产品的竞争壁垒。
据《韩国经济日报》（Hankyung）分析，此次高NA EUV的大规模投入，标志着三星资本支出战略的重大转变——在过去两年，受全球半导体行业下行周期影响，该公司曾一度抑制资本开支，而当前的激进投资，既是对行业复苏的判断，也是对自身制造能力的重新信心。更值得关注的是，三星计划在1.4纳米节点就部署高NA EUV技术，这一进度有望领先台积电，成为其在先进工艺竞争中的重要筹码。
三星的动作并非个例，目前英特尔、SK海力士等行业巨头也已启动高NA EUV的部署。不过，与其他企业不同，三星将该技术同时应用于代工与内存两大业务，这种“逻辑+内存”的协同布局，更凸显了其整合技术资源、推动全产业链创新的战略意图，也为全球半导体制造格局注入了新的变量。
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