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SK海力士公开了其包含下一代NAND存储——“HBF（高带宽闪存）”在内的人工智能（AI）产品战略。所谓HBF，是借鉴HBM（高带宽内存）的概念，通过对NAND闪存进行垂直堆叠，从而最大化性能的一种下一代产品。
SK海力士27日表示，公司于当地时间10月13日至16日参加了在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“2025 OCP（开放计算项目）全球峰会”，并在会上发布了最新的NAND存储产品战略。
公司表示：“随着AI推理市场的迅速增长，能够快速、高效处理海量数据的NAND存储产品需求正在急剧扩大。对此，我们构建了‘AIN（AI-NAND）Family’产品阵容，旨在以面向AI时代的最优解决方案满足客户需求。”
在大会第二天的高管专场中，SK海力士eSSD产品开发负责人金千成（Kim Cheonseong）副社长作为演讲嘉宾，介绍了AIN产品系列。
AIN系列从性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、容量（Density）三个维度进行优化，旨在同时提升数据处理速度和存储容量。
AIN P（Performance） 是一款可在大规模AI推理环境中高效处理海量数据读写的解决方案。通过最小化AI计算与存储之间的瓶颈，大幅提升处理速度和能效。公司目前正在以全新架构设计NAND与控制器，计划于2026年底推出样品。
AIN D（Density） 是一款以低功耗、低成本存储大容量数据为目标的高密度解决方案，适用于AI数据存储。该产品旨在将基于QLC的TB级SSD容量提升至PB级，同时兼具SSD的速度与HDD的经济性，定位为中间层级存储。
NAND闪存根据单个存储单元（Cell）可存储的比特数量不同，分为SLC（1bit）、MLC（2bit）、TLC（3bit）、QLC（4bit）、PLC（5bit）等多种规格。
AIN B（Bandwidth） 是通过垂直堆叠NAND来扩大带宽的解决方案，这正是公司采用“HBF”技术的产品名称。
SK海力士启动AIN B研究的初衷是为了解决内存容量不足问题，其核心在于将高容量、低成本的NAND与HBM堆叠结构相结合。公司正在研究将AIN B与HBM协同部署，以补充容量不足等多种应用场景。
为推动AIN B生态系统发展，SK海力士与美国SanDisk于8月签署了HBF标准化谅解备忘录（MOU），并于14日晚在OCP峰会会场附近的科技互动中心（The Tech Interactive）举办了“HBF之夜”活动，邀请了多家全球大型科技公司的代表出席。
当天活动由海内外教授组成的专家团以圆桌讨论形式进行，吸引了数十位业内主要架构师与技术专家参与。会上，SK海力士提议业界携手加速NAND存储产品创新。
SK海力士开发总括安贤（Ahn Hyun）社长表示：“通过本次OCP全球峰会和HBF之夜，我们展示了SK海力士作为‘全球AI内存解决方案提供商’在AI为中心的快速变革市场中的现状与未来。未来，我们将在下一代NAND存储领域继续与客户及各类合作伙伴携手，努力成为AI内存市场的核心玩家。”
SK海力士，率先量产HBM4？
据业内消息，SK海力士已向其位于清州、正建设中的高带宽内存（HBM）等DRAM生产基地——M15X工厂运入首批设备。
据业界27日消息，SK海力士当天开放了正在清州建设的M15X工厂的首个洁净室，并开始设备搬入工作。M15X是SK海力士在现有M15工厂基础上追加投资超过20万亿韩元建设的扩建生产基地。
此前，自去年年底起，SK海力士已将部分在京畿道利川园区工作的DRAM员工调往清州园区，启动了包括基础设施建设在内的前期准备工作。随着当天设备搬入的开始，公司也在加快推进原计划于年内完工的目标。
SK海力士在第二季度财报电话会议上表示：“M15X计划以应对客户需求为出发点，重点量产下一代HBM产品。我们将根据明年客户对所需产量的可见性情况，逐步扩大产能（capacity）。”公司还补充道：“虽然目前不便透露M15X的具体运作细节，但可以肯定的是，到明年年底不会因为厂房空间限制而出现HBM供应不足的情况。”
业内认为，随着M15X设备搬入的启动，SK海力士将进一步加快HBM量产步伐。据悉，SK海力士今年的HBM产能已全部售罄，并且在三星、美光三大存储厂中率先完成第六代HBM（HBM4）的量产准备，目前正与英伟达就供应量进行谈判。
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