目前主流的全彩化方案分为两类:三色合光、单片全彩。三色合光技术通过红、绿、蓝三片独立LED面板进行光学合成。该方案成熟度较高,但存在结构复杂、组装精度要求高、成本难以压缩等问题。单片全彩技术将红、绿、蓝三种颜色集成在同一芯片上,避免多片拼接带来的对准误差。目前,行业的终极目标还是希望可以做到单片全彩化。单片全彩又进一步分为单片全彩和垂直堆叠两个主流的技术路线。垂直堆叠的核心原理是将红光置于最底层,蓝/绿光位于上方,利用不同波长穿透能力差异实现分层发光。在企业的技术进展方面,JBD、鸿石智能、诺视科技等企业均在此领域取得突破。例如JBD 完成各阶段 R/G/B LED 晶圆片的电极线路后再透过晶圆片接合技术垂直堆叠而成电极线路皆制作在芯片内层。邱宇彬表示,垂直堆叠技术难度极高,而对位精准度(1um)会是最大的技术挑战。鸿石智能在2025年发布混合堆叠结构技术,融合两次晶圆键合和一次亮度色转,实现蓝绿外延片的集成和红光的精准呈现,将光效提高60%以上,同时搭配光学微结构,可再提高出光效率20%。新市场开拓副总经理刘怿在演讲中指出,公司在今年上半年已经推出了0.12英寸的320×240分辨率单片全彩的产品。但是Micro LED作为新技术,也面临多个技术问题亟须解决,邱宇彬指出在材料与晶圆尺寸两大方面存在的问题:材料层面:传统LED采用蓝宝石衬底,而Micro LED需与硅背板键合。由于两者热膨胀系数差异,在250℃工艺温度下,有可能会产生0.1%的微米级分离,无法满足近眼显示的高精度要求。尺寸层面:主流LED晶圆为4寸为主,慢慢过渡到6寸;而硅基工艺普遍采用8/12寸晶圆,两者之间很难达到百分之百的利用键合率。为解决传统LED外延片(蓝宝石衬底)与硅基背板之间的热膨胀系数不匹配问题,业界提出了多种键合方案:Die to Die(D2D):小面积键合,可有效缓解CTE失配,但生产效率低;Wafer to Wafer(W2W):整片晶圆键合,效率高,但面临尺寸不匹配挑战;Die to Wafer to Wafer(D2W2W):引入临时衬底,先将LED芯片排列至临时基板,再整体键合至硅基板,兼顾良率与效率,被认为是中长期最优解,但相对来讲,制程的复杂度也进一步提高。在厂商方案的选择上也有所差异,例如英国Porotech公司投资开发8英寸硅基GaN平台,实现与8英寸CMOS的100%键合利用率;而国内的JBD则通过将12英寸晶圆切割为7块4英寸区域,实现约80%的利用率,具备一定的产业化可行性。目前无论从材料层面还是尺寸匹配度上都有相应的解决方案,只是行业内还未形成共识。但依旧可以期待的是,随着硅基GaN向8英寸甚至12英寸演进,以及基于硅衬底Micro LED的各种全彩技术发展,Micro LED一定会迎来大规模的产业机遇。在量产进程上,邱宇彬指出,AR应用作为科技行业产品,面临一个隐形的挑战:目前来说并未形成统一的规格共识,因此在发展过程中,目标持续滚动升级,这使得后进厂商在跟进时会有资源分配的抉择,也会影响第二、第三梯队实际规模化量产的时程,因而或延缓行业的发展节奏。