《纽约时报》：美国对中国的半导体封锁计划，正被中国自己的设备厂一点点突破

据美国媒体《纽约时报》的报道指出，美国主导的对华先进半导体与设备出口管控，正在被中国本土设备厂商与产业链自救措施“逐步破解”。中国在半导体设备领域已经有了自己的一席之地，依靠中国自身的技术优势，美国再难对中国半导体行业实行卡脖子的限制。

自2022年10月起，美国与其盟友陆续收紧了对中国出口的半导体设备与关键零部件的控制，范围包括高端设计工具、部分高级制程设备、用于训练大型 AI 模型的高性能 GPU 等，并对涉及高级晶圆制造能力的主体实施实体名单或许可限制。

他们的目标很明确：尽量阻断中国获取用于量产最先进逻辑与存储芯片的关键设备与技术。然而，面对管控，中国企业反而在半导体设备领域实现了关键突破，在半导体行业实现了质的飞跃。

众所周知，光刻机被誉为人类工业史上的奇迹，全球ASML一家独大。近年来，美国联合荷兰、日本，对中国实施光刻机禁令。EUV全面封禁。先进型号 DUV（如 NXT:2000 以上）禁止出货，连维修权限也受限制。

值此艰难时刻，在这个最难突破的领域，中国有了自己的新进展。上海微电子DUV 光刻机已经进入客户验证，虽然与 ASML 差距仍然明显，但路线已打通。另外，在光源、高精度镜头与光学系统这些核心环节已经实现了国产化突破。

在刻蚀领域，美国限制中国采购最先进的等离子体刻蚀设备。Lam Research、Applied Materials 对华出货受控。中微公司站上世界舞台，首次与美系正面竞争。5nm、3nm 节点刻蚀机已进入产线验证，深硅刻蚀在全球主流市场占有率领先。在功率芯片、化合物半导体刻蚀实现量产垄断级地位。这是美国最想限制却限制失败的领域之一。

薄膜沉积方面，高端原子层沉积（ALD）设备禁止对华销售。Applied Materials、TEL 在先进节点 ALD 市场对中国断供。北方华创又站了出来，突破ALD 覆盖器件层、介质层、金属栅等关键领域，多款 ALD/CVD 已进入国内 14nm、12nm 产线稳定量产。

清洗设备曾是美国认为难以被复制的“湿工艺壁垒”，但盛美已完成国产替代的关键一步。先进节点清洗机已进入中芯国际量产。先进的“单片清洗”技术稳定量产。在功率器件、MEMS、逻辑芯片领域全面扩张。

没有检测设备，就无法知道产品哪里出错。没有计量工具，工艺无法持续优化。它是“工艺闭环”的核心能力。然而KLA 的缺陷检测系统、E-beam 扫描、CD计量设备对中国封锁最严，是美国最核心的“精确监控能力”。中国在检测计量方面起步最晚，但突破正在加速。CD-SEM、AFM、纳米级计量设备已被国内多家工厂使用。E-beam 技术已进入可工程演示阶段。在平坦度检测、线宽计量等领域已具备商业竞争力。这一领域仍是中国与美国差距最大的方向，但增长速度最快。

CMP 是过去最不起眼，但现在是最关键的国产替代突破点。CMP是晶圆制造中最“脏活累活”的工序，过去CMP抛光设备长期被应用材料垄断，CMP抛光垫、抛光液、关键耗材对中国限制严格。杜邦、陶氏长期垄断高端市场。近年来，华海清科完成28nm以上CMP设备国产化，抛光液、抛光垫国产率也在快速提升。

正如《纽约时报》指出：美国封堵的越细，中国突破的越精准。中国半导体设备正在从被动补课走向体系化能力构建。这才是美国最不愿看到的趋势。