由董事长李在镕领导的三星电子发起了一场“量产豪赌”，旨在重夺其在存储半导体市场的主导地位。为了夺回过去两年被SK海力士抢占的高带宽内存（HBM）市场的领导地位，三星凭借其“超强产能基因”——即最大限度地提高下一代10纳米级（1c）DRAM的产能——强势回归。三星位于平泽的生产线正以满负荷运转，凭借其压倒性的产能主导着市场，而SK海力士则凭借其稳固的客户信任和技术实力捍卫着自己的领先地位。
据半导体行业于当地时间 11月19 日报道，三星电子已敲定一项雄心勃勃的路线图，计划到 2026 年底将其 1c DRAM 的月晶圆产量提升至 20 万片。这一投资规模超过了三星电子在上一轮半导体超级周期中的投资水平，业内人士纷纷表示“三星正在孤注一掷”。
“我们将以压倒性的产量占据主导地位。”
三星电子的战略清晰明确：实现竞争对手无法匹敌的规模经济。具体而言，三星计划在2025年底前新增6万片晶圆，并在2026年第二季度新增8万片晶圆，到2026年底实现20万片晶圆的总产量。考虑到三星目前的DRAM月产量约为65万至70万片晶圆，此次采用单一工艺（1c）产能占总产量30%的决策可谓突破性。这一计划远比2022年半导体市场繁荣时期新增的13万片晶圆产能更为激进。
这一决策源于对良率稳定的信心。据业内人士透露，三星的1c DRAM良率已达到70%，基于此良率的首批HBM4（第六代）产品的良率也已突破50%大关。这意味着量产准备工作已基本完成。
三星计划将位于平泽的园区打造为人工智能半导体的前沿基地，这与其11月16日公布的450万亿韩元国内投资计划相符。随着人工智能服务器市场的增长，不仅对HBM的需求将激增，对支持该服务器的高容量通用DRAM的需求也将大幅增长。因此，三星计划通过强化其“1c DRAM”的基础建设，实现“一箭双雕”。
平泽P5：HBM4核心基地
三星在平泽P5工厂的复工复产中，充分体现了其雄心壮志。停工近两年的P5工厂的起重机已经重新开始运转。P5工厂全长650米，洁净室数量（6间）远超之前的P4工厂，将成为三星最大的半导体工厂。
P5工厂计划于2028年投产，它不仅仅是一家存储器工厂。三星电子计划将其作为“混合晶圆厂”运营，结合HBM4和尖端晶圆代工技术。这是因为，从HBM4开始，超精细逻辑处理对于位于内存芯片底部的“基片”至关重要。P5建成后，平泽园区将拥有全球最大的半导体产业集群，容纳超过10万名员工。
海力士：“2026年供应已售罄”
尽管三星展开激烈竞争，但“HBM冠军”SK海力士依然保持着稳固的防御。SK海力士内部已宣布其2026年的内存供应“已售罄”。这是因为包括英伟达在内的大型科技客户已经提前下单，确保了2026年的供应。
SK海力士对其DRAM产能增长率（比特增长率）明年超过20%充满信心。尤其值得一提的是，NVIDIA下一代AI加速器“Rubin”将采用的HBM4，已于今年第四季度开始出货，展现了其技术领先优势。SK海力士计划通过建立“韩美三角生产体系”来应对三星的大规模产能攻势。该体系将整合其位于清州的M15X晶圆厂、龙仁工业集群以及位于美国印第安纳州的封装工厂。
一位半导体行业内部人士分析道：“2026年，三星电子将大规模生产1c DRAM芯片，这将是市场的分水岭。”关键问题在于，三星的“量产攻势”能否扭转HBM市场的格局，还是SK海力士的“技术堡垒”能够坚守不倒。
