中国存储双雄启动史上最大扩产，加速填补全球芯片缺口

【区角快讯】在全球存储芯片供应持续吃紧的背景下，中国两大存储芯片领军企业——长鑫存储与长江存储，正同步推进史上最大规模的产能扩张计划，以期在AI驱动的高景气周期中抢占战略高地。

据《日经亚洲》援引知情人士消息，长鑫存储作为中国大陆最大的DRAM制造商，正在上海新建一座晶圆厂。该厂规划产能将达到其合肥总部基地的两到三倍，设备安装工作预计于2026年下半年启动，并于2027年正式投入量产。新厂产品将广泛应用于服务器、个人电脑及汽车电子等多个关键领域。与此同时，该公司亦在上海同步扩建高带宽存储器（HBM）产线，明确瞄准人工智能算力激增带来的高端存储需求。

知情人士透露，长鑫存储位于合肥与北京的现有两座工厂目前均已处于满负荷运行状态，“本土客户需求极为强劲，公司迫切希望尽快释放新增产能。”这一表态印证了当前国产替代与AI应用双重驱动下的市场热度。

另一方面，中国领先的NAND闪存厂商长江存储亦在武汉推进其第三座晶圆制造厂建设，同样计划于2027年投产。值得注意的是，该新厂除继续生产3D NAND产品外，已明确将50%的产能用于DRAM制造。此外，长江存储还将联合本土封装测试企业，共同开发面向人工智能计算场景的HBM产品，进一步完善国产高端存储生态链。

此轮扩产不仅标志着中国存储产业进入规模化跃升阶段，更反映出在全球AI基础设施爆发性增长下，国产芯片企业正从“追赶者”向“体系构建者”加速转型。