【科技纵览】2026年第一季度，三星电子将NAND闪存供货价格上调逾100%，远超市场此前对季度涨幅30%–40%的普遍预期。据韩媒ETNews 1月25日报道，此举凸显当前全球存储芯片市场正经历严重供需失衡，而背后推手正是AI应用爆发所引发的高端存储需求激增。
此轮涨价并非孤立事件。早在2025年第四季度，TrendForce数据显示NAND合约价已环比上涨33%–38%。进入2026年，三星不仅将NAND价格翻倍，此前还将DRAM合同价最高上调近70%。全球第二大NAND厂商SK海力士及第五大厂商闪迪亦同步跟进，后者计划全年提价100%。业内普遍预计，第二季度价格涨势仍将延续。
驱动此轮涨价的核心逻辑，在于“结构性断层”——并非所有存储产品紧缺，而是高性能企业级SSD、支持端侧AI的LPDDR5X及HBM等高端品类供不应求。英伟达H100/B200集群对PCIe 5.0 SSD和CXL存储架构的依赖，使数据中心客户几乎丧失议价能力。与此同时，下游厂商库存水位已降至历史低位：2025年Q3渠道库存周转天数仅22天，较2024年的45天大幅缩减，部分经销商甚至采用预付款锁单方式确保供应。
值得注意的是，此次涨价标志着存储行业从“周期性商品”向“战略资产”的转型尝试。三星正通过“产能置换”策略，主动削减低利润老旧产线，将晶圆资源集中于HBM、DDR5等高附加值产品。数据显示，2026年全球AI相关高端存储产能增速被控制在25%–30%，而需求增速却超100%；整体存储晶圆产能增幅则维持在5%以内，人为制造稀缺以维持高价。
这一策略已初见成效。尽管三星在2025年HBM市场份额仅为19%（SK海力士占61%），但其通过传统存储暴利回笼资金，目标是在2026年将HBM市占率提升至35%。三巨头罕见形成“高价联盟”，不再陷入过往的价格战囚徒困境，共同维系行业利润池。
然而，成本压力正沿产业链向下传导。云服务商为保障GPU利用率不得不接受涨价，最终将成本转嫁给AI创业公司；消费电子领域，旗舰手机中存储组件成本占比从15%飙升至28%，迫使厂商或提价400–600元，或降配以维持售价。智能汽车亦受冲击，单车BOM成本增加200–300美元，部分车企或推迟L3自动驾驶落地。
值得警惕的是，若“AI通胀税”持续侵蚀下游ROI，可能触发需求萎缩的死亡螺旋。但危机中亦蕴藏机遇：长江存储、长鑫存储等中国厂商正加速突围。长鑫DDR5最高速率达8000Mbps，虽良率略低、裸片面积偏大，但当价差拉大至3倍以上，国产替代逻辑即成立。据悉，长鑫将于2026年实现HBM3量产，产能约为韩厂的5%–10%。
综上，三星此轮豪赌既是技术卡位，亦是商业模式重构。其成败不仅关乎一家企业命运，更将决定未来AI时代算力基础设施的权力格局。短期看，全行业将承受“存力荒”之痛；长期看，这场由AI点燃的存储革命，或将重塑全球半导体竞争版图。
