【区角快讯】台积电已于2026年2月5日正式向日本政府通报,决定将其在日本控股子公司JASM的第二座晶圆厂的主力生产工艺,由原先规划的6纳米提升至更先进的3纳米节点。此举将使日本首次拥有3纳米芯片的量产能力,填补该国在尖端半导体制造领域的空白。

根据披露信息,该工厂最初计划投入122亿美元,用于建设覆盖6至12纳米工艺的产能。随着技术路线调整为3纳米,整体投资额预计将上调至170亿美元。台积电表示,接下来将与日本政府就项目变更细节展开协商。
报道指出,日本政府出于强化本国半导体供应链及保障经济安全的考量,明确表达了对该调整方案的支持态度。此前,日方已为台积电位于九州的第一阶段扩产提供财政补贴,目前正评估是否对此次追加投资给予额外援助。
今年1月,台积电高管曾在财报电话会议中透露,JASM第二厂的土建工程已经启动,并强调“具体采用的技术节点与量产时间表,将依据客户需求及市场动态最终敲定”。目前,台积电的3纳米芯片已在台湾地区实现量产,并计划于2027年在美国亚利桑那州的第二座晶圆厂投入3nm生产。
值得注意的是,日本同时大力扶持本土企业Rapidus,后者获政府巨额补贴,拟在北海道推进2纳米芯片的研发与制造。据日媒援引官方说法,Rapidus与JASM的产品定位存在差异,双方将在不同技术层级形成互补,而非直接竞争。
在全球先进制程产能持续向地缘多元化布局的背景下,台积电此次战略调整凸显其加速海外高端制造落地的决心。